訂購數(shù)量 | 價格 |
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1+ |
- 廠家型號:
71016S20YG8
- 制造商:
- 庫存數(shù)量:
0
- 類別:
- 封裝外殼:
44-BSOJ(0.400",10.16mm 寬)
- 包裝:
卷帶(TR)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 更新時間:
2024-11-1 15:17:00
訂購數(shù)量 | 價格 |
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1+ |
0
44-BSOJ(0.400",10.16mm 寬)
卷帶(TR)
表面貼裝型
2024-11-1 15:17:00
原廠料號:71016S20YG8品牌:Renesas Electronics America Inc
資料說明:IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
71016S20YG8是集成電路(IC) > 存儲器。制造商RENESAS/瑞薩生產(chǎn)封裝44-BSOJ(0.400",10.16mm 寬)的71016S20YG8存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。
描述
71016S20YG8
Renesas Electronics America Inc
集成電路(IC) > 存儲器
卷帶(TR)
易失
SRAM
SRAM - 異步
1Mb(64K x 16)
并聯(lián)
20ns
4.5V ~ 5.5V
0°C ~ 70°C(TA)
表面貼裝型
44-BSOJ(0.400",10.16mm 寬)
44-SOJ
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IDT, Integrated Device Technol |
21+ |
44-SOJ |
56200 |
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詢價 | ||
IDT |
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IDT |
22+ |
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Integrated Device Technology |
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RENESAS(瑞薩)/IDT |
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