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70T633S10BFG8中文資料IDT數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

70T633S10BFG8
廠商型號(hào)

70T633S10BFG8

參數(shù)屬性

70T633S10BFG8 封裝/外殼為208-LFBGA;包裝為托盤;類別為集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器;產(chǎn)品描述:IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208CABGA

功能描述

HIGH-SPEED 2.5V 512/256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

文件大小

437.45 Kbytes

頁面數(shù)量

27

生產(chǎn)廠商 Integrated Device Technology, Inc.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IDT

中文名稱

Integrated Device Technology, Inc.官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-11-20 18:30:00

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    70T633S10BFG8

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器

  • 包裝:

    托盤

  • 存儲(chǔ)器類型:

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式:

    SRAM

  • 技術(shù):

    SRAM - 雙端口,異步

  • 存儲(chǔ)容量:

    9Mb(512K x 18)

  • 存儲(chǔ)器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字,頁:

    10ns

  • 電壓 - 供電:

    2.4V ~ 2.6V

  • 工作溫度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    208-LFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    208-CABGA(15x15)

  • 描述:

    IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208CABGA

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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RENESAS(瑞薩電子)
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