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70T633S10BCG集成電路（IC）的存儲器規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
70T633S10BCG |
| 參數(shù)屬性 | 70T633S10BCG 封裝/外殼為256-LBGA；包裝為托盤；類別為集成電路（IC）的存儲器；產(chǎn)品描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256CABGA |
| 功能描述 | HIGH-SPEED 2.5V 512/256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM |
| 封裝外殼 | 256-LBGA |
| 文件大小 |
437.45 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
27 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Integrated Device Technology, Inc. |
| 企業(yè)簡稱 |
IDT |
| 中文名稱 | Integrated Device Technology, Inc.官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-2-5 10:18:00 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
70T633S10BCGI
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 類別：
集成電路（IC） > 存儲器
- 包裝：
托盤
- 存儲器類型：
易失
- 存儲器格式：
SRAM
- 技術(shù)：
SRAM - 雙端口，異步
- 存儲容量：
9Mb（512K x 18）
- 存儲器接口：
并聯(lián)
- 寫周期時間 - 字，頁：
10ns
- 電壓 - 供電：
2.4V ~ 2.6V
- 工作溫度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
256-LBGA
- 供應商器件封裝：
256-CABGA（17x17）
- 描述：
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256CABGA
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IDT |
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