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70T633S10BFG集成電路（IC）的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

70T633S10BFG
廠商型號

70T633S10BFG
參數(shù)屬性

70T633S10BFG 封裝/外殼為208-LFBGA；包裝為托盤；類別為集成電路（IC）的存儲器；產(chǎn)品描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208CABGA
功能描述

HIGH-SPEED 2.5V 512/256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE
封裝外殼

208-LFBGA
文件大小

513.809 Kbytes
頁面數(shù)量

28 頁
生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS【瑞薩】

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-2-5 10:18:00

70T633S10BFG規(guī)格書詳情

Features

◆ True Dual-Port memory cells which allow simultaneous

access of the same memory location

◆ High-speed access

– Commercial: 10/12/15ns (max.)

– Industrial: 10/12ns (max.)

◆ RapidWrite Mode simplifies high-speed consecutive write

cycles

◆ Dual chip enables allow for depth expansion without

external logic

◆ IDT70T633/1 easily expands data bus width to 36 bits or

more using the Master/Slave select when cascading more

than one device

◆ M/S = VIH for BUSY output flag on Master,

M/S = VIL for BUSY input on Slave

◆ Busy and Interrupt Flags

On-chip port arbitration logic

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    70T633S10BFG

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 雙端口，異步

  • 存儲容量：

    9Mb（512K x 18）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    10ns

  • 電壓 - 供電：

    2.4V ~ 2.6V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    208-LFBGA

  • 供應商器件封裝：

    208-CABGA（15x15）

  • 描述：

    IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208CABGA

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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