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70T633S10BF8集成電路(IC)存儲器規(guī)格書PDF中文資料

70T633S10BF8
廠商型號

70T633S10BF8

參數(shù)屬性

70T633S10BF8 封裝/外殼為208-LFBGA;包裝為托盤;類別為集成電路(IC) > 存儲器;產(chǎn)品描述:IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208CABGA

功能描述

HIGH-SPEED 2.5V 512/256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208CABGA

文件大小

513.809 Kbytes

頁面數(shù)量

28

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-11-20 18:30:00

70T633S10BF8規(guī)格書詳情

Features

◆ True Dual-Port memory cells which allow simultaneous

access of the same memory location

◆ High-speed access

– Commercial: 10/12/15ns (max.)

– Industrial: 10/12ns (max.)

◆ RapidWrite Mode simplifies high-speed consecutive write

cycles

◆ Dual chip enables allow for depth expansion without

external logic

◆ IDT70T633/1 easily expands data bus width to 36 bits or

more using the Master/Slave select when cascading more

than one device

◆ M/S = VIH for BUSY output flag on Master,

M/S = VIL for BUSY input on Slave

◆ Busy and Interrupt Flags

On-chip port arbitration logic

70T633S10BF8屬于集成電路(IC) > 存儲器。瑞薩科技有限公司制造生產(chǎn)的70T633S10BF8存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設備的半導體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    70T633S10BF8

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    托盤

  • 存儲器類型:

    易失

  • 存儲器格式:

    SRAM

  • 技術(shù):

    SRAM - 雙端口,異步

  • 存儲容量:

    9Mb(512K x 18)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字,頁:

    10ns

  • 電壓 - 供電:

    2.4V ~ 2.6V

  • 工作溫度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    208-LFBGA

  • 供應商器件封裝:

    208-CABGA(15x15)

  • 描述:

    IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208CABGA

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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