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70T3539MS133BCG	文件：642.93 Kbytes Page：27 Pages	HIGH-SPEED 2.5V 512K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE Features: ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speeddataaccess –Commercial:3.6ns(166MHz)/4.2ns(133MHz)(max.) –Industrial:4.2ns(133MHz)(max.) ◆SelectablePipelinedorFlow-Throughoutputmode ◆Counterenableandrepeatf	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
70T3539MS133BCG	文件：840.44 Kbytes Page：26 Pages	HIGH-SPEED 2.5V 512K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
70T3539MS133BCG	文件：345.22 Kbytes Page：26 Pages	HIGH-SPEED SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
70T3539MS133BCG	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：托盤封裝/外殼：256-LBGA 類別：集成電路（IC）存儲器描述：IC SRAM 18MBIT PARALLEL 256CABGA	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
70T3539MS133BCGI	文件：642.93 Kbytes Page：27 Pages	HIGH-SPEED 2.5V 512K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE Features: ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speeddataaccess –Commercial:3.6ns(166MHz)/4.2ns(133MHz)(max.) –Industrial:4.2ns(133MHz)(max.) ◆SelectablePipelinedorFlow-Throughoutputmode ◆Counterenableandrepeatf	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
70T3539MS133BCG8	文件：840.44 Kbytes Page：26 Pages	HIGH-SPEED 2.5V 512K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
70T3539MS133BCG8	文件：345.22 Kbytes Page：26 Pages	HIGH-SPEED SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
70T3539MS133BCGI	文件：840.44 Kbytes Page：26 Pages	HIGH-SPEED 2.5V 512K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
70T3539MS133BCGI	文件：345.22 Kbytes Page：26 Pages	HIGH-SPEED SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
70T3539MS133BCGI8	文件：840.44 Kbytes Page：26 Pages	HIGH-SPEED 2.5V 512K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
70T3539MS133BCGI8	文件：345.22 Kbytes Page：26 Pages	HIGH-SPEED SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
70T3539MS133BCGI	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：托盤封裝/外殼：256-LBGA 類別：集成電路（IC）存儲器描述：IC SRAM 18MBIT PARALLEL 256CABGA	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
70T3539MS133BCG
制造商：
Renesas Electronics America Inc
類別：
集成電路（IC） > 存儲器
包裝：
托盤
存儲器類型：
易失
存儲器格式：
SRAM
技術(shù)：
SRAM - 雙端口，同步
存儲容量：
18Mb（512K x 36）
存儲器接口：
并聯(lián)
電壓 - 供電：
2.4V ~ 2.6V
工作溫度：
0°C ~ 70°C（TA）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
256-LBGA
供應(yīng)商器件封裝：
256-CABGA（17x17）
描述：
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 256CABGA

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市華斯頓科技有限公司	70T3539MS133BCG	IDT	22+23+	256CABGA	36074	絕對原裝正品全新進口深圳現(xiàn)貨	詢價
深圳市弘為電子有限公司	70T3539MS133BCG	IDT	2019	Tray	324554	原裝進口現(xiàn)貨	詢價
深圳市斌騰達科技有限公司	70T3539MS133BCG	IDT, Integrated Device Technol	21+	165-LBGA	5280	進口原裝!長期供應(yīng)!絕對優(yōu)勢價格(誠信經(jīng)營	詢價
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更多70T3539MS133BCG供應(yīng)商更新時間2024-11-5 16:50:00

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