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70V657S10BFG

HIGH-SPEED 3.3V 128/64/32K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

Features ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:10/12/15ns(max.) –Industrial:12ns(max.) ◆Dualchipenablesallowfordepthexpansionwithout externallogic ◆IDT70V659/58/57easilyexpandsdatabuswi

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

70V657S10BFG

HIGH-SPEED 3.3V 128/64/32K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

70V657S10BFG

HIGH-SPEED 3.3V 128/64/32K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

70V657S10BFG

Package：208-LFBGA；包裝：托盤 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC SRAM 1.125MBIT PAR 208FPBGA

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

70V657S10BFG8

HIGH-SPEED 3.3V 128/64/32K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

Features ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:10/12/15ns(max.) –Industrial:12ns(max.) ◆Dualchipenablesallowfordepthexpansionwithout externallogic ◆IDT70V659/58/57easilyexpandsdatabuswi

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

70V657S10BFG8

HIGH-SPEED 3.3V 128/64/32K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

70V657S10BFGI

HIGH-SPEED 3.3V 128/64/32K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

70V657S10BFGI8

HIGH-SPEED 3.3V 128/64/32K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

70V657S10BFG8

Package：208-LFBGA；包裝：托盤 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC SRAM 1.125MBIT PAR 208FPBGA

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

70V657S10DRG

HIGH-SPEED3.3V128/64/32Kx36ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    70V657S10BFG

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲(chǔ)器類型：

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 雙端口，異步

  • 存儲(chǔ)容量：

    1.125Mb（32K x 36）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字，頁(yè)：

    10ns

  • 電壓 - 供電：

    3.15V ~ 3.45V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    208-LFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    208-CABGA（15x15）

  • 描述：

    IC SRAM 1.125MBIT PAR 208FPBGA

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
Integrated Device Technology (
2022+
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全新原裝 貨期兩周
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IDT, Integrated Device Technol
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更多70V657S10BFG供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-25 9:50:00

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