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Marking：6Y1930P；Package：LFPAK56；30 V, P-channel Trench MOSFET 1.Generaldescription P-channelenhancementmodeMOSFETinanLFPAK56(PowerSO8)Surface-MountedDevice (SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. ThisproducthasbeendesignedandqualifiedtoAEC-Q101standardforuseinhigh-performance automotiveapplicationssuchasreverse | NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司 | NEXPERIA |
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