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744760156A

Marking：56N；WE-KI SMT Wire Wound Ceramic Inductor

GeneralInformation: Itisrecommendedthatthetemperatureofthecomponentdoesnotexceed+125°Cunderworst caseconditions AmbientTemperature(referring toIR)-40upto+110°C OperatingTemperature-40upto+125°C StorageConditions(inoriginal packaging)

WURTHWurth Elektronik GmbH & Co. KG, Germany.

伍爾特伍爾特集團

744760156GA

Marking：56N；WE-KI SMT Wire Wound Ceramic Inductor

GeneralInformation: Itisrecommendedthatthetemperatureofthecomponentdoesnotexceed+125°Cunderworst caseconditions AmbientTemperature(referring toIR)-40upto+110°C OperatingTemperature-40upto+125°C StorageConditions(inoriginal packaging)

WURTHWurth Elektronik GmbH & Co. KG, Germany.

伍爾特伍爾特集團

744762156GA

Marking：56N；WE-KI SMT Wire Wound Ceramic Inductor

GeneralInformation: Itisrecommendedthatthetemperatureofthecomponentdoesnotexceed+125°Cunderworst caseconditions AmbientTemperature(referring toIR)-40upto+110°C OperatingTemperature-40upto+125°C StorageConditions(inoriginal packaging)

WURTHWurth Elektronik GmbH & Co. KG, Germany.

伍爾特伍爾特集團

TP1561NA-TR

Marking：56N；Package：6-PinSOT23；Stable 6MHz, 500關A, RRIO, Precision, Op Amps

3PEAK3PEAK INC.

思瑞浦思瑞浦微電子科技（蘇州）股份有限公司

SSD56N04-C

Marking：56N04；Package：TO-252；N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

STW56N60DM2

Marking：56N60DM2；Package：TO-247；N-channel 600 V, 0.052 廓 typ., 50 A MDmesh??DM2 Power MOSFET in a TO-247 package

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STW56N65DM2

Marking：56N65DM2；Package：TO-247；N-channel 650 V, 0.058 廓 typ., 48 A MDmesh??DM2 Power MOSFET in a TO-247 package

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

詳細參數(shù)

  • 型號：

    56N

  • 制造商：

    NAINA

  • 制造商全稱：

    Naina Semiconductor ltd.

  • 功能描述：

    Diode - Diode Module

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多56N供應商 更新時間2025-3-20 14:20:00

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