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3DD103E

isc Silicon NPN Power Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

3DD103C

iscSiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=500V(Min.) ·Collector-EmitterSaturationVoltage- :VCE(sat)=4V(Max)@IC=3A ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designedforpoweramplifier,DC-DCconverts

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

晶體管資料

  • 型號：

    3DD103E

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性質(zhì)：

    行輸出 （HA）_場輸出 （VA）

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    1.5KV

  • 最大電流允許值：

    3A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    2

  • 可代換的型號：

  • 最大耗散功率：

    5W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    E-44

  • vtest：

    1500

  • htest：

    999900

  • atest：

    3

  • wtest：

    5

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多3DD103E供應(yīng)商 更新時間2024-11-18 15:59:00

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