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3DD12E

SiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=600V(Min) ·CollectorCurrent-Continuous -IC=16A APPLICATIONS ·SwitchingRegulators ·Converters ·PowerAmplifiers

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

3DD12E-H

SiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=600V(Min) ·CollectorCurrent-Continuous -IC=25A APPLICATIONS ·SwitchingRegulators ·Converters ·PowerAmplifiers

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

KIT-CRD-3DD12P

BuckBoostEvaluationKit

CreeCree, Inc

科銳科銳半導(dǎo)體制造商

晶體管資料

  • 型號：

    3DD12G-T

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）_開關(guān)管 （S）_功率放大 （L

  • 封裝形式：

    特殊封裝

  • 極限工作電壓：

    400V

  • 最大電流允許值：

    25A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

  • 最大耗散功率：

    500W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    F-23

  • vtest：

    400

  • htest：

    999900

  • atest：

    25

  • wtest：

    500

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
CHINA
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CJ/長電
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TO-251
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原裝正品
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更多3DD12G-T供應(yīng)商 更新時間2024-11-18 15:59:00

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