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2SK3668中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

2SK3668
廠商型號(hào)

2SK3668

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

249.23 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

10 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡(jiǎn)稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-4-10 15:30:00

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2SK3668規(guī)格書(shū)詳情

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION

The 2SK3668 is N-channel DMOS FET device that

features a low on-state resistance, low charge and

excellent switching characteristics, designed for high

voltage applications such as high intensity discharge

lamp drive.

FEATURES

? Low gate charge

QG = 26 nC TYP. (VDD = 320 V, VGS = 10 V, ID = 10 A)

? Gate voltage rating: ±30 V

? Low on-state resistance

RDS(on) = 0.55 Ω MAX. (VGS = 10 V, ID = 5.0 A)

? Surface mount package available

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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原裝現(xiàn)貨假一賠十
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