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2SK3667中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

2SK3667
廠商型號

2SK3667

功能描述

Silicon N Channel MOS Type Switching Regulator Applications

文件大小

226.21 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會社東芝官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-27 8:50:00

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2SK3667規(guī)格書詳情

? Low drain-source ON resistance: RDS (ON)= 0.74Ω(typ.)

? High forward transfer admittance: |Yfs| = S (typ.)

? Low leakage current: IDSS= 100 μA (VDS= 600 V)

? Enhancement-mode: Vth= 2.0~4.0 V (VDS= 10 V, ID= 1 mA)

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    2SK3667

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 600V 7.5A Rdson 1 Ohm

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
TOSHIBA/東芝
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TO220F
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