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2SK2912S中文資料日立數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

2SK2912S
廠商型號(hào)

2SK2912S

功能描述

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

文件大小

53.43 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

10 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Hitachi Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Hitachi日立

中文名稱

日立公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-4-11 11:15:00

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2SK2912S規(guī)格書詳情

Silicon N Channel MOS FET

High Speed Power Switching

Features

? Low on-resistance

RDS= 15 m? typ.

? High speed switching

? 4V gate drive device can be driven from 5V source

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    2SK2912S

  • 制造商:

    Renesas Electronics Corporation

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
TOSHIBA
01+
TO220
450
現(xiàn)貨
詢價(jià)
TOSHIBA/東芝
23+
TO-220
5000
原廠授權(quán)代理,海外優(yōu)勢(shì)訂貨渠道??商峁┐罅繋?kù)存,詳
詢價(jià)
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22+
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RENESAS/瑞薩
20+
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HITACHI
1922+
SOT263
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TOSHIBA/東芝
2447
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TOS
17+
TO-220
6200
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reNESAS
24+
30000
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