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2SK2912L中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

2SK2912L
廠商型號(hào)

2SK2912L

功能描述

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

文件大小

95.62 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-4-10 20:00:00

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2SK2912L規(guī)格書詳情

Silicon N Channel MOS FET

High Speed Power Switching

Features

? Low on-resistance

RDS= 15 m?typ.

? High speed switching

? 4 V gate drive device can be driven from 5 V source

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    2SK2912L

  • 制造商:

    Renesas Electronics Corporation

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
RENESAS/瑞薩
22+
TO-263
100000
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