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2SK170-GR

Low Noise Audio Amplifier Applications

LowNoiseAudioAmplifierApplications ?RecommendedforfirststagesofEQandM.C.headamplifiers. ?High|Yfs|:|Yfs|=22mS(typ.)(VDS=10V,VGS=0,IDSS=3mA) ?Highbreakdownvoltage:VGDS=?40V ?Lownoise:En=0.95nV/Hz1/2(typ.)(VDS=10V,ID=1mA,f=1kHz) ?High

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SK170

LowNoiseAudioAmplifierApplications

LowNoiseAudioAmplifierApplications ?RecommendedforfirststagesofEQandM.C.headamplifiers. ?High|Yfs|:|Yfs|=22mS(typ.)(VDS=10V,VGS=0,IDSS=3mA) ?Highbreakdownvoltage:VGDS=?40V ?Lownoise:En=0.95nV/Hz1/2(typ.)(VDS=10V,ID=1mA,f=1kHz) ?High

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2SK170

LowNoiseAudioAmplifierApplications

LowNoiseAudioAmplifierApplications ?RecommendedforfirststagesofEQandM.C.headamplifiers. ?High|Yfs|:|Yfs|=22mS(typ.)(VDS=10V,VGS=0,IDSS=3mA) ?Highbreakdownvoltage:VGDS=?40V ?Lownoise:En=0.95nV/Hz1/2(typ.)(VDS=10V,ID=1mA,f=1kHz) ?High

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2SK170

LowNoiseAudioAmplifierApplications

LowNoiseAudioAmplifierApplications ?RecommendedforfirststagesofEQandM.C.headamplifiers. ?High|Yfs|:|Yfs|=22mS(typ.)(VDS=10V,VGS=0,IDSS=3mA) ?Highbreakdownvoltage:VGDS=?40V ?Lownoise:En=0.95nV/Hz1/2(typ.)(VDS=10V,ID=1mA,f=1kHz) ?High

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2SK170

SiliconNChannelJunctionTypeLowNoiseAudioAmplifierApplications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

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2SK170

FET,SiliconNChannelJunctionType(forLowNoiseAudioAmplifier)

LowNoiseAudioAmplifierApplications ?RecommendedforfirststagesofEQandM.C.headamplifiers. ?High|Yfs|:|Yfs|=22mS(typ.)(VDS=10V,VGS=0,IDSS=3mA) ?Highbreakdownvoltage:VGDS=?40V ?Lownoise:En=0.95nV/Hz1/2(typ.)(VDS=10V,ID=1mA,f=1kHz) ?High

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2SK170-BL

LowNoiseAudioAmplifierApplications

LowNoiseAudioAmplifierApplications ?RecommendedforfirststagesofEQandM.C.headamplifiers. ?High|Yfs|:|Yfs|=22mS(typ.)(VDS=10V,VGS=0,IDSS=3mA) ?Highbreakdownvoltage:VGDS=?40V ?Lownoise:En=0.95nV/Hz1/2(typ.)(VDS=10V,ID=1mA,f=1kHz) ?High

TOSHIBAToshiba Semiconductor

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2SK170-V

LowNoiseAudioAmplifierApplications

LowNoiseAudioAmplifierApplications ?RecommendedforfirststagesofEQandM.C.headamplifiers. ?High|Yfs|:|Yfs|=22mS(typ.)(VDS=10V,VGS=0,IDSS=3mA) ?Highbreakdownvoltage:VGDS=?40V ?Lownoise:En=0.95nV/Hz1/2(typ.)(VDS=10V,ID=1mA,f=1kHz) ?High

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    2SK170-GR

  • 功能描述：

    JFET N CHANNEL JFET Vds 10V Idss 3mA

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    ON Semiconductor

  • 晶體管極性：

    N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時的

  • Idss）：

    50 mA 漏源電壓

  • VDS：

    15 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    50 mA

  • 封裝/箱體：

    SC-59

  • 封裝：

    Reel

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
TOSHIBA
18+
TO-92
85600
保證進口原裝可開17%增值稅發(fā)票
 詢價
TOSHIBA/東芝
23+
TO-92
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價
TOSHIBA/東芝
2022
TO-92
80000
原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢
 詢價
TOSHIBA/東芝
23+
NA/
10900
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
 詢價
TOSHIBA/東芝
25+
T0-92
880000
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
 詢價
TOSHIBA/東芝
2023+
T0-92
50000
AI智能識別、工業(yè)、汽車、醫(yī)療方案LPC批量及配套一站
 詢價
TOS
23+
20000
正品原裝貨價格低
 詢價
TOSHIBA/東芝
23+
DIPSOP
3000
一級代理原廠VIP渠道,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、
 詢價
TOSHIBA/東芝
22+
DIPSOP
25000
只有原裝原裝,支持BOM配單
 詢價
HITACHI
24+
60000
詢價
更多2SK170-GR供應(yīng)商 更新時間2025-3-17 17:30:00

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