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iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION ?DrainCurrent–ID=5A@TC=25℃ ?DrainSourceVoltage- :VDSS=900V(Min) ?FastSwitchingSpeed ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ?Switchingregulator ?UPS ?DC-DCconverters ?Generalpurposepoweramp | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | ||
N-channelMOS-FET >Features -HighSpeedSwitching -LowOn-Resistance -NoSecondaryBreakdown -LowDrivingPower -HighVoltage -VGS=±30VGuarantee -AvalancheProof >Applications -SwitchingRegulators -UPS -DC-DCconverters -GeneralPurposePowerAmplifier | FujiFuji Electric 富士電機(jī)富士電機(jī)株式會(huì)社 | Fuji |
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