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2SJ541

Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features ?Lowon-resistance RDS(on)=0.075?typ. ?Lowdrivecurrent. ?4Vgatedrivedevices. ?Highspeedswitching.

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

2SJ541

Silicon P Channel MOS FET

Description Highspeedpowerswitching Features ?Lowon-resistance RDS(on)=0.075?typ. ?Lowdrivecurrent. ?4Vgatedrivedevices. ?Highspeedswitching.

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

2SJ541-E

Silicon P Channel MOS FET

Description Highspeedpowerswitching Features ?Lowon-resistance RDS(on)=0.075?typ. ?Lowdrivecurrent. ?4Vgatedrivedevices. ?Highspeedswitching.

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

2SJ541_15

Silicon P Channel MOS FET

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    2SJ541

  • 制造商:

    HITACHI

  • 制造商全稱:

    Hitachi Semiconductor

  • 功能描述:

    Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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VBsemi/臺(tái)灣微碧
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更多2SJ541供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-15 9:47:00