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2SJ200

iscP-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=-10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-180V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.8Ω(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·MotorDrive,DC-DCConverter,PowerSwitch andSolenoidDrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SJ200

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

2SJ200

TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconPChannelMOSType

HighPowerAmplifierApplication ?Highbreakdownvoltage:VDSS=?180V ?Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=4.0S(typ.) ?Complementaryto2SK1529

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

2SJ200

HighPowerAmplifierApplication

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

2SJ200

PCHANNELMOSTYPE(HIGHPOWERAMPLIFIERAPPLICATION)

HighPowerAmplifierApplication ?Highbreakdownvoltage:VDSS=?180V ?Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=4.0S(typ.) ?Complementaryto2SK1529

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    2SJ200Y

  • 功能描述:

    TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 180V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-247VAR

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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TOSHIBA
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