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2SJ205	文件：307.88 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNEL MOS FET FOR SWITCHING Features ●DirectlydrivenbyICshavinga3Vpoersupply. ●Notnecessarytoconsiderdrivingcurrentbecauseofitshighinputimpedance. ●Possibletoreducethenumberofpartsbyomittingthebiasresistor. ●Haslowon-stateresistance RDS(on)=5ΩMAX.@VGS=-2.5V,ID=-10mA RDS(	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社	NEC
2SJ205	文件：43.93 Kbytes Page：1 Pages	MOS Fied Effect Transistor ■Features ●VDS(V)=-16V ●ID=-0.5A(VGS=-10V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
2SJ205	文件：565.44 Kbytes Page：7 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR P-CHANNELMOSFET FORSWITCHING DESCRIPTION The2SJ205,P-channelverticaltypeMOSFET,isaswitchingdevice whichcanbedrivenby3Vpowersupply. AstheMOSFETisdrivenbylowvoltageanddoesnotrequire considerationofdrivingcurrent,itissuitableforappliancesincluding VC	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
2SJ205_15	文件：1.0255 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN

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更多2SJ205供應(yīng)商更新時(shí)間2025-4-1 16:04:00