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2SD2120	文件：71.32 Kbytes Page：3 Pages	General Driver Applications????????? GeneralDriverApplications Darlingtonconnection(Containsbiasresistance,damperdiode) HighDCcurrentgain *LessdependenceofDCcurrentgainontemperature	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋電機(jī)株式會社	SANYO
2SD2121	文件：31.02 Kbytes Page：5 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application Lowfrequencypoweramplifiercomplementarypairwith2SB1407(L)/(S)	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SD2121	文件：145.01 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application Lowfrequencypoweramplifiercomplementarypairwith2SB1407(L)/(S)	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
2SD2121	文件：276.23 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=35V(Min) ·DCCurrentGain- :hFE=60(Min)@IC=0.5A APPLICATIONS ·DC-DCconverter,relaydrivers,lampdrivers,motor drivers,inverter	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
2SD2121	文件：295.29 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=35V(Min) ·DCCurrentGain- :hFE=60(Min)@IC=0.5A APPLICATIONS ·DC-DCconverter,relaydrivers,lampdrivers,motor drivers,inverter	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
2SD2121-251	文件：295.29 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=35V(Min) ·DCCurrentGain- :hFE=60(Min)@IC=0.5A APPLICATIONS ·DC-DCconverter,relaydrivers,lampdrivers,motor drivers,inverter	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
2SD2121-252	文件：276.23 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=35V(Min) ·DCCurrentGain- :hFE=60(Min)@IC=0.5A APPLICATIONS ·DC-DCconverter,relaydrivers,lampdrivers,motor drivers,inverter	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
2SD2121L	文件：31.02 Kbytes Page：5 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application Lowfrequencypoweramplifiercomplementarypairwith2SB1407(L)/(S)	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SD2121L	文件：145.01 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application Lowfrequencypoweramplifiercomplementarypairwith2SB1407(L)/(S)	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
2SD2121S	文件：31.02 Kbytes Page：5 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application Lowfrequencypoweramplifiercomplementarypairwith2SB1407(L)/(S)	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SD2121S	文件：39.8 Kbytes Page：1 Pages	Silicon NPN Epitaxial Features Lowfrequencypoweramplifier.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
2SD2121S	文件：145.01 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application Lowfrequencypoweramplifiercomplementarypairwith2SB1407(L)/(S)	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
2SD2122	文件：34.68 Kbytes Page：7 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application Lowfrequencypoweramplifiercomplementarypairwith2SB1409(L)/(S)	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SD2122	文件：152.08 Kbytes Page：8 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application Lowfrequencypoweramplifiercomplementarypairwith2SB1409(L)/(S)	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
2SD2122	文件：275.79 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=120V(Min) ·DCCurrentGain- :hFE=60(Min)@IC=0.15A APPLICATIONS ·DC-DCconverter,relaydrivers,lampdrivers,motor drivers,inverter	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
2SD2122	文件：294.84 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=120V(Min) ·DCCurrentGain- :hFE=60(Min)@IC=0.15A APPLICATIONS ·DC-DCconverter,relaydrivers,lampdrivers,motor drivers,inverter	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
2SD2122-251	文件：294.84 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=120V(Min) ·DCCurrentGain- :hFE=60(Min)@IC=0.15A APPLICATIONS ·DC-DCconverter,relaydrivers,lampdrivers,motor drivers,inverter	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
2SD2122-252	文件：275.79 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=120V(Min) ·DCCurrentGain- :hFE=60(Min)@IC=0.15A APPLICATIONS ·DC-DCconverter,relaydrivers,lampdrivers,motor drivers,inverter	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
2SD2122L	文件：34.68 Kbytes Page：7 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application Lowfrequencypoweramplifiercomplementarypairwith2SB1409(L)/(S)	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SD2122L	文件：152.08 Kbytes Page：8 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application Lowfrequencypoweramplifiercomplementarypairwith2SB1409(L)/(S)	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS

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晶體管資料

型號：
2SD2121L,S
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-NPN
性質(zhì)：
低頻或音頻放大（LF）_功率放大（L）
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
35V
最大電流允許值：
2.5A
最大工作頻率：
<1MHZ或未知
引腳數(shù)：
3
可代換的型號：
2SC3386,2SD1221,2SD1760,2SD1802,
最大耗散功率：
18W
放大倍數(shù)：
圖片代號：
A-80
vtest：
35
htest：
999900
atest：
2.5
wtest：
18

詳細(xì)參數(shù)

型號：
2SD212
制造商：
RENESAS
制造商全稱：
Renesas Technology Corp
功能描述：
Silicon NPN Epitaxial

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	2SD2121	HITACHI	24+	TO-252	36800		詢價
深圳市鼎欣微電子有限公司	2SD2121	TOSHIBA/東芝	21+	TO-252	30000	只做正品原裝現(xiàn)貨	詢價
深圳市仟禧電子有限公司	2SD2121	RENESAS/瑞薩	22+	SOT-252	20000	保證原裝正品,假一陪十	詢價
深圳市金芯世紀(jì)電子有限公司	2SD2121	RENESAS/瑞薩	22+	SOT-252	100000	代理渠道/只做原裝/可含稅	詢價
深圳市富芯樂電子科技有限公司	2SD2121	HITACHI	22+	TO-252	5000		詢價
深圳龐田科技有限公司	2SD2121	HITACHI	2023+環(huán)?，F(xiàn)貨	TO-252	18000	專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)等方案配套一站式服務(wù)	詢價
深圳市旺財半導(dǎo)體有限公司	2SD2121	RENESAS	23+	SOT-252	4000	正品原裝貨價格低qq:2987726803	詢價
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	2SD2121	HITACHI/日立	23+	TO-252	6000	專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨	詢價
深圳市宏捷佳電子科技有限公司	2SD2121	HITACHI	2023+	TO-252	50000	原裝現(xiàn)貨	詢價
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	2SD2121	HITACHI/日立	23+	TO-252	6000	專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨	詢價

更多2SD212供應(yīng)商更新時間2024-12-25 16:30:00

晶體管資料

詳細(xì)參數(shù)

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