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2SD1950-T1-AZ

NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTORPOWERMINIMOLD

DESCRIPTION The2SD1950isdesignedforgeneral-purposeapplicationsrequiringHighDCCurrentGain. Thisissuitableforallkindofdrivingormuting. FEATURES ●HighDCCurrentGainandGoodhFElinearity. hFE=800to3200(VCE=5.0V,IC=1.0A) ●LowCollectorSaturationVoltage.

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瑞薩瑞薩科技有限公司

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更多2SD1950-T1B供應(yīng)商 更新時間2025-1-13 10:19:00

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