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2SD2012

NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)

AudioFrequencyPowerAmplifierApplications ?Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=0.4V(typ.)(IC=2A/IB=0.2A) ?Highpowerdissipation:PC=25W(Tc=25°C)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

2SD2012

NPN SILICON POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION The2SD2012isasiliconNPNpowertransistorhousedinTO-220Finsulatedpackage.Itisintededforpowerlinearandswitchingapplications. ■HIGHDCCURRENTGAIN ■LOWSATURATIONVOLTAGE ■INSULATEDPACKAGEFOREASYMOUNTING APPLICATIONS ■GENERALPURPOSEPOWERAMPLIFIERS ■G

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

2SD2012

NPN Silicon Power Transistors

Features ·HighDCCurrentGain:hFE(1)=100(Min.) ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=1.0V(Max.) ·HighPowerDissipation:PC=25W(TC=25OC) ·LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) ·EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ·

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

2SD2012

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION ·WithTO-220Fpackage ·Complementtotype2SB1366 ·Lowcollectorsaturationvoltage ·Collectorpowerdissipation:PC=25W(TC=25℃) APPLICATIONS ·Audiofrequencypoweramplifierandgeneralpurposeswitchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SD2012

TO-220F Plastic-Encapsulate Transistors

TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●Audiofrequencypoweramplifierapplications ●HighDCcurrentgain ●Lowsaturationvoltage ●Highpowerdissipation

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長(zhǎng)電科技江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司

2SD2012

Silicon NPN transistor in a TO-220F Plastic Package.

Descriptions SiliconNPNtransistorinaTO-220FPlasticPackage. Features LowVCE(sat),Hightotalpowerdissipation,complementarypairwith2SB1375. Applications Audiofrequencypoweramplifierapplications.

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司

2SD2012

TO-220-3L Plastic-Encapsulate Transistors

FEATURES HighDCCurrentGain LowSaturationVoltage HighPowerDissipation

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

2SD2012

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION ·WithTO-220Fpackage ·Complementtotype2SB1366 ·Lowcollectorsaturationvoltage ·Collectorpowerdissipation:PC=25W(TC=25℃) APPLICATIONS ·Audiofrequencypoweramplifierandgeneralpurposeswitchingapplications

SAVANTIC

Savantic, Inc.

2SD2012

Audio Frequency Power Amplifier Applications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

2SD2012

Silicon NPN Power Transistors

SAVANTIC

Savantic, Inc.

2SD2012

NPN SILICON POWER TRANSISTOR

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

2SD2012

Silicon NPN Triple Diffused Type

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

2SD2012

包裝：管件 封裝/外殼：TO-220-3 整包 類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè) 描述：TRANS NPN 60V 3A TO220F

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

2SD2012FM

Audio Frequency Power Amplifier Applications

AudioFrequencyPowerAmplifierApplications ?Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=0.4V(typ.)(IC=2A/IB=0.2A) ?Highpowerdissipation:PC=25W(Tc=25°C)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

2SD2012_03

NPN SILICON POWER TRANSISTOR

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

2SD2012_06

Silicon NPN Triple Diffused Type

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

2SD2012_09

Audio Frequency Power Amplifier Applications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

2SD2012-BP

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：TO-220-3 類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè) 描述：TRANS NPN 60V 3A TO220AB

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

晶體管資料

  • 型號(hào)：

    2SD2012

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）_功率放大 （L）

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    60V

  • 最大電流允許值：

    3A

  • 最大工作頻率：

    3MHZ

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號(hào)：

    BD935F,2SC3746,2SD1266,2SD1406,2SD1585,2SD1913,2SD2061,

  • 最大耗散功率：

    25W

  • 放大倍數(shù)：

    β=100-320

  • 圖片代號(hào)：

    B-45

  • vtest：

    60

  • htest：

    3000000

  • atest：

    3

  • wtest：

    25

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    2SD2012

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 包裝：

    管件

  • 晶體管類(lèi)型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    1V @ 200mA，2A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100μA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    100 @ 500mA，5V

  • 頻率 - 躍遷：

    3MHz

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220F

  • 描述：

    TRANS NPN 60V 3A TO220F

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
TOSHIBA/東芝
2021+
TO-220
9000
原裝現(xiàn)貨,隨時(shí)歡迎詢(xún)價(jià)
 詢(xún)價(jià)
CJ/長(zhǎng)晶
23+
TO-263-2L
360000
專(zhuān)業(yè)供應(yīng)MOS/LDO/晶體管/有大量?jī)r(jià)格低
 詢(xún)價(jià)
TOSHIBA
23+
TO-220
9526
詢(xún)價(jià)
24+
TO-220F
10000
全新
 詢(xún)價(jià)
TOS
17+
TO-220F
6200
詢(xún)價(jià)
TOSHIBA
23+
TO-220F
5000
原裝正品,假一罰十
 詢(xún)價(jià)
TOS
16+
原廠封裝
5500
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢(xún)價(jià)
TOSHIBA
23+
TO220
8890
價(jià)格優(yōu)勢(shì)、原裝現(xiàn)貨、客戶(hù)至上。歡迎廣大客戶(hù)來(lái)電查詢(xún)
 詢(xún)價(jià)
TOS
16+
TO-220
10000
全新原裝現(xiàn)貨
 詢(xún)價(jià)
TOS
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TO220F
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 詢(xún)價(jià)
更多2SD2012供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-12-24 14:00:00

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