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2SD1782	文件：571.13 Kbytes Page：3 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●LowVCE(sat) ●HighBVCEO ●Complementsthe2SB1198	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長電科技江蘇長電科技股份有限公司	JIANGSU
2SD1782	文件：90.47 Kbytes Page：3 Pages	POWER NPN TRANSISTOR DESCRIPTION TheUTC2SD1782isanNPNsilicontransistor.itusesUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomerswithhighcollector-emitterbreakdownvoltage,lowcollector-emittersaturationvoltageandhighDCcurrentgain,etc. FEATURES Highcollector-emitterbreakdownvoltage Lowcoll	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
2SD1782	文件：1.2037 Mbytes Page：3 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES LowVCE(sat) HighBVCEO Complementsthe2SB1198	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶電子東莞市南晶電子有限公司	DGNJDZ
2SD1782	文件：921.63 Kbytes Page：9 Pages	Low-power pyroelectric infrared sensor signal processing chip ProductOverview HM4002isalow-powerpyroelectricinfraredsensorsignalprocessingchip,whichcanbematchedwithinfraredsensorunitSimpleloadsensingON/OFFanddelaytimingfunctioncontrol;atthesametime,thechipbuilt-inhigh-precisionstableLDO2.6VoutputcanprovideRedpower	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
2SD1782G-Q-AE3-R	文件：90.47 Kbytes Page：3 Pages	POWER NPN TRANSISTOR DESCRIPTION TheUTC2SD1782isanNPNsilicontransistor.itusesUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomerswithhighcollector-emitterbreakdownvoltage,lowcollector-emittersaturationvoltageandhighDCcurrentgain,etc. FEATURES Highcollector-emitterbreakdownvoltage Lowcoll	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
2SD1782G-R-AE3-R	文件：90.47 Kbytes Page：3 Pages	POWER NPN TRANSISTOR DESCRIPTION TheUTC2SD1782isanNPNsilicontransistor.itusesUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomerswithhighcollector-emitterbreakdownvoltage,lowcollector-emittersaturationvoltageandhighDCcurrentgain,etc. FEATURES Highcollector-emitterbreakdownvoltage Lowcoll	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
2SD1782K	文件：36.87 Kbytes Page：1 Pages	Power Transistor Features ●LowVCE(sat).VCE(sat)=0.2V(Typ.)(IC/IB=0.5A/50mA) ●HighVCEO,VCEO=80V.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
2SD1782K	文件：80.37 Kbytes Page：4 Pages	Power Transistor (80V, 0.5A) Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.2V(Typ.) (IC/IB=0.5A/50mA) 2)HighVCEO,VCEO=80V 3)Complementsthe2SB1198K.	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團	ROHM
2SD1782K	文件：767.25 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package Descriptions SiliconNPNtransistorinaSOT-23PlasticPackage. Features Highbreakdown,lowVCE(sat),complementsthe2SB1198K. Applications Mediumpoweramplifierapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍箭電子佛山市藍箭電子股份有限公司	FOSHAN
2SD1782KT146R	文件：67.37 Kbytes Page：4 Pages	Power Transistor (80V, 0.5A) Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.2V(Typ.) (IC/IB=0.5A/50mA) 2)HighVCEO,VCEO=80V 3)Complementsthe2SB1198K.	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團	ROHM
2SD1782L-Q-AE3-R	文件：90.47 Kbytes Page：3 Pages	POWER NPN TRANSISTOR DESCRIPTION TheUTC2SD1782isanNPNsilicontransistor.itusesUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomerswithhighcollector-emitterbreakdownvoltage,lowcollector-emittersaturationvoltageandhighDCcurrentgain,etc. FEATURES Highcollector-emitterbreakdownvoltage Lowcoll	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
2SD1782L-R-AE3-R	文件：90.47 Kbytes Page：3 Pages	POWER NPN TRANSISTOR DESCRIPTION TheUTC2SD1782isanNPNsilicontransistor.itusesUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomerswithhighcollector-emitterbreakdownvoltage,lowcollector-emittersaturationvoltageandhighDCcurrentgain,etc. FEATURES Highcollector-emitterbreakdownvoltage Lowcoll	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
2SD1782_15	文件：125.54 Kbytes Page：3 Pages	POWER NPN TRANSISTOR	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
2SD1782G-X-AE3-R	文件：125.54 Kbytes Page：3 Pages	POWER NPN TRANSISTOR	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
2SD1782K	文件：67.37 Kbytes Page：4 Pages	Power Transistor (80V, 0.5A)	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團	ROHM
2SD1782SQ	文件：1.38832 Mbytes Page：4 Pages	NPN Transistor	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半導(dǎo)體東莞市平晶半導(dǎo)體科技有限公司	PJSEMI
2SD1782HE3-R-TP	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個描述：TRANS NPN 80V 0.5A SOT23	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
2SD1782KT146Q	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個描述：TRANS NPN 80V 0.5A SMT3	Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor
2SD1782KT146R	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個描述：TRANS NPN 80V 0.5A SMT3	Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor

晶體管資料

型號：
2SD1782K
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-NPN
性質(zhì)：
表面帖裝型（SMD）_低頻或音頻放大（LF）_TR
封裝形式：
貼片封裝
極限工作電壓：
80V
最大電流允許值：
0.7A
最大工作頻率：
180MHZ
引腳數(shù)：
4
可代換的型號：
BCW66,BCX41,
最大耗散功率：
放大倍數(shù)：
圖片代號：
H-15
vtest：
80
htest：
180000000
atest：
0.7
wtest：
0

詳細參數(shù)

型號：
2SD1782
制造商：
ROHM Semiconductor

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市金泰福電子科技有限公司	2SD1782	CJ/長晶	24+	SOT-23	30000	長晶全系列二三極管原裝優(yōu)勢供應(yīng),歡迎詢價	詢價
深圳市中福國際管理有限公司	2SD1782	CJ/長晶	23+	SOT-23	360000	專業(yè)供應(yīng)MOS/LDO/晶體管/有大量價格低	詢價
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	2SD1782	ROHM	24+	SOT-23	46320		詢價
齊創(chuàng)科技(上海,北京,青島)有限公司	2SD1782	ROHM	23+	SOT-23	30000	原裝正品,假一罰十	詢價
深圳市華斯頓科技有限公司	2SD1782	長電	22+23+	SOT-23	23806	絕對原裝正品全新進口深圳現(xiàn)貨	詢價
瀚佳科技(深圳)有限公司	2SD1782	長電	2017+	SOT-23	93000	全新原裝正品現(xiàn)貨/長期大量供貨!!	詢價
深圳兆威電子有限公司	2SD1782	CJ/長電	22+	SOT-23	126000	原裝正品現(xiàn)貨,可開13點稅	詢價
深圳市百域芯科技有限公司	2SD1782	CJ/長電	21+	SOT-23	30000	百域芯優(yōu)勢實單必成可開13點增值稅發(fā)票	詢價
深圳市航潤創(chuàng)能電子集團有限公司	2SD1782	長電	21+	SOT-23	120000	原裝現(xiàn)貨假一賠十	詢價
深圳市安富世紀電子有限公司	2SD1782	長電/長晶	23+	SOT-23	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價

更多2SD1782供應(yīng)商更新時間2024-12-25 9:01:00

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