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SiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·LowCollectorSaturationVoltage- :VCE(sat)=0.5V(Typ)@IC=2A ·GoodLinearityofhFE APPLICATIONS ·Powerdissipation | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | ||
SiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·LowCollectorSaturationVoltage- :VCE(sat)=0.5V(Typ)@IC=2A ·GoodLinearityofhFE APPLICATIONS ·Powerdissipation | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | ||
PowerTransistor(50V,3A) PowerTransistor(50V,3A) Features 1)LowVCE(sat), VCE(sat)=0.5V(Typ.) (IC/IB=2A/0.2A) 2)Complementsthe 2SB1184/2SB1243/2SB1185. Structure EpitaxialplanartypeNPNsilicontransistor | ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán) | ROHM | ||
TO-251-3LPlastic-EncapsulateTransistors | JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長(zhǎng)電科技江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司 | JIANGSU | ||
iscSiliconNPNPowerTransistor | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | ||
MediumPowerTransistor | KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司 | KEXIN | ||
PowerTransistor(50V,3A) | ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán) | ROHM | ||
NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistor | SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司 | SECOS | ||
PowerTransistor(50V,3A) PowerTransistor(50V,3A) Features 1)LowVCE(sat), VCE(sat)=0.5V(Typ.) (IC/IB=2A/0.2A) 2)Complementsthe 2SB1184/2SB1243/2SB1185. Structure EpitaxialplanartypeNPNsilicontransistor | ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán) | ROHM | ||
PowerTransistor50V,3A PowerTransistor(50V,3A) Features 1)LowVCE(sat), VCE(sat)=0.5V(Typ.) (IC/IB=2A/0.2A) 2)Complementsthe 2SB1184/2SB1243/2SB1185. Structure EpitaxialplanartypeNPNsilicontransistor | ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán) | ROHM | ||
NPNTransistors | KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司 | KEXIN | ||
NPNTransistors | KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司 | KEXIN | ||
EpitaxialplanartypeNPNsilicontransistor PowerTransistor(50V,3A) Features 1)LowVCE(sat), VCE(sat)=0.5V(Typ.) (IC/IB=2A/0.2A) 2)Complementsthe 2SB1184/2SB1243/2SB1185. Structure EpitaxialplanartypeNPNsilicontransistor | ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán) | ROHM | ||
PowerTransistor(50V,3A) PowerTransistor(50V,3A) Features 1)LowVCE(sat), VCE(sat)=0.5V(Typ.) (IC/IB=2A/0.2A) 2)Complementsthe 2SB1184/2SB1243/2SB1185. Structure EpitaxialplanartypeNPNsilicontransistor | ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán) | ROHM |
晶體管資料
- 型號(hào):
- 別名:
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家:
- 制作材料:
Si-NPN
- 性質(zhì):
低頻或音頻放大 (LF)_輸出極 (E)_功率放大 (L
- 封裝形式:
貼片封裝
- 極限工作電壓:
60V
- 最大電流允許值:
3A
- 最大工作頻率:
70MHZ
- 引腳數(shù):
3
- 可代換的型號(hào):
2SC3592,2SC3386,2SD1221,2SD1802,
- 最大耗散功率:
15W
- 放大倍數(shù):
- 圖片代號(hào):
H-61
- vtest:
60
- htest:
70000000
- atest:
3
- wtest:
15
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TOY |
23+ |
TO |
20000 |
正品原裝貨價(jià)格低qq:2987726803 |
詢價(jià) | ||
長(zhǎng)電/長(zhǎng)晶 |
22+ |
TO-252 |
25000 |
原裝現(xiàn)貨,價(jià)格優(yōu)惠,假一罰十 |
詢價(jià) | ||
長(zhǎng)電/長(zhǎng)晶 |
2208+ |
TO-252 |
12265 |
一級(jí)代理/分銷渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) 十年芯程一路只做原裝正品 |
詢價(jià) | ||
長(zhǎng)電/長(zhǎng)晶 |
24+ |
TO-252 |
9000 |
只做原裝正品 有掛有貨 假一賠十 |
詢價(jià) | ||
TO-252 |
23+ |
NA |
15659 |
振宏微專業(yè)只做正品,假一罰百! |
詢價(jià) | ||
ROHM |
16+ |
SOT-252 |
600 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價(jià) | ||
ROHM/羅姆 |
23+ |
To-252 |
5000 |
原廠授權(quán)代理,海外優(yōu)勢(shì)訂貨渠道??商峁┐罅繋?kù)存,詳 |
詢價(jià) | ||
ROHM |
21+ |
TO252 |
3800 |
詢價(jià) | |||
ROHM/羅姆 |
23+ |
TO-252 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價(jià) | ||
ROHM/羅姆 |
2022 |
TO-252 |
80000 |
原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢 |
詢價(jià) |
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