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2SD1580

Triple Diffused Planar NPN Silicon Transistor

Features 1)Lowcollectorsaturationvoltage:VCE(sat)=0.3V(Typ.)(IC/IB=4A/0.4A) 2)ExcellentcurrentresponseofDCcurrentgain(hFE). 3)Highcollectorpowerdissipation:Pc=40W(Tc=25°C) 4)WideASO. 5)Easypackagingbecauseofitsmoldtypedesign

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

2SD1580

TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE

EpitaxialPlanarNPNSiliconTransistor TAPEDPOWERTRANSISTORPACKAGEFORUSEWITHANAUTOMATICPLACEMENTMACHINE)

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

2SD1580

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ?LowCollectorSaturationVoltage:VCE(sat)=1.0V(Max.)@IC=4A ?HighCollectorPowerDissipation ?GoodLinearityofhFE ?WideAreaofSafeOperation APPLICATIONS ?Designedforlowfrequencypoweramplifierapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

晶體管資料

  • 型號(hào):

    2SD1580

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_開關(guān)管 (S)_功率放大 (L

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    100V

  • 最大電流允許值:

    7A

  • 最大工作頻率:

    5MHZ

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號(hào):

    BD243C,BD543C,BD801,2SC2234,2SD550,2SD843,2SD1137,2SD1271A,2SD1237,3DK206B,

  • 最大耗散功率:

    40W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號(hào):

    B-44

  • vtest:

    100

  • htest:

    5000000

  • atest:

    7

  • wtest:

    40

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
ROHM/羅姆
17+
TO-220
31518
原裝正品 可含稅交易
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TO-220
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ROHM
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TO-TO-220
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更多2SD1580供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-12-25 14:00:00