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2SD1601	文件：251.45 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION ?Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=60V(Min) ?HighDCCurrentGain:hFE=1000(Min)@IC=2A ?ComplementtoType2SB1101 APPLICATIONS ?Designedforlowfrequencypoweramplifiersapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
2SD1602	文件：251.45 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION ?Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=80V(Min) ?HighDCCurrentGain:hFE=1000(Min)@IC=2A ?ComplementtoType2SB1102 APPLICATIONS ?Designedforlowfrequencypoweramplifiersapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
2SD1603	文件：403.44 Kbytes Page：2 Pages	LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER COMPLEMENT PAIR WITH 2SB1103 AND 2SB1104 SILICONNPNTRIPLEDIFFUSED LOWFREQUENCYPOWERAMPLIFIER COMPLEMENTARYPAIRWITH2SB1103AND2SB1104	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SD1603	文件：251.45 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=60V(Min) ·HighDCCurrentGain:hFE=1000(Min)@IC=4A ·ComplementtoType2SB1103 APPLICATIONS ·Designedforlowfrequencypoweramplifiersapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
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2SD1604	文件：403.44 Kbytes Page：2 Pages	LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER COMPLEMENT PAIR WITH 2SB1103 AND 2SB1104 SILICONNPNTRIPLEDIFFUSED LOWFREQUENCYPOWERAMPLIFIER COMPLEMENTARYPAIRWITH2SB1103AND2SB1104	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SD1605	文件：250.17 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION ?Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=120V(Min) ?HighDCCurrentGain:hFE=1000(Min)@IC=1.5A ?ComplementtoType2SB1105 APPLICATIONS ?Designedforlowfrequencypoweramplifiersapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
2SD1606	文件：35.45 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Application Lowfrequencypoweramplifier	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SD1606	文件：150.2 Kbytes Page：7 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Application Lowfrequencypoweramplifier	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
2SD1608	文件：43.98 Kbytes Page：1 Pages	Medium Speed Power Switching SiNPNTripleDiffusedPlanarDarlington MediumSpeedPowerSwitching ComplementaryPairwith2SB1108 Features ?HighhFE ?Highspeedswitching ?FullPackpackageforsimplifiedmountingonlybyascrew,requiresnoinsulator.	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
2SD1608	文件：244.12 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION ?Collector-EmitterSustainingVoltage-:VCEO(SUS)=120V(Min) ?HighDCCurrentGain:hFE=1000(Min)@IC=4A ?HighSpeedSwitching APPLICATIONS ?Designedformediumspeedpowerswitchingapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
2SD1609	文件：32.509 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application Lowfrequencyhighvoltageamplifiercomplementarypairwith2SB1109and2SB1110	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SD1600	文件：259.04 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
2SD1606	文件：137.44 Kbytes Page：2 Pages	High DC Current Gain	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
2SD1607	文件：258.98 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
2SD1609	文件：85.72 Kbytes Page：4 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
2SD1609	文件：941.97 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN transistor in a TO-126 Plastic Package.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司	FOSHAN
2SD1609	文件：263.51 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
2SD1609_15	文件：89.67 Kbytes Page：4 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC

晶體管資料

型號(hào)：
2SD1601
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-N+Darl+Di
性質(zhì)：
低頻或音頻放大（LF）_開(kāi)關(guān)管（S）_功率放大（L
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
60V
最大電流允許值：
4A
最大工作頻率：
<1MHZ或未知
引腳數(shù)：
3
可代換的型號(hào)：
BD715,BDW23A,BDW53A,2SD686,2SD837,2SD1190,2SD1276,2SD1392,2SD1595,2SD1932,3DK205B,
最大耗散功率：
40W
放大倍數(shù)：
β>1000
圖片代號(hào)：
B-44
vtest：
60
htest：
999900
atest：
4
wtest：
40

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
2SD160
制造商：
Distributed By MCM
功能描述：
SUB ONLY TRANSISTOR TO-220AB 60V 4A 40W BCE

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	2SD1601		24+	TO-220	10000	全新	詢價(jià)
深圳市博浩通科技有限公司	2SD1601	HIT	23+	原廠原裝	3000	全新原裝	詢價(jià)
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	2SD1601	HIT	1738+	TO-220	8529	科恒偉業(yè)!只做原裝正品,假一賠十!	詢價(jià)
深圳市國(guó)宇半導(dǎo)體科技有限公司	2SD1601	HITACHI	23+	TO-220	10000	公司只做原裝正品	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	2SD1601	HITACHI/日立	22+	TO-220	6000	十年配單,只做原裝	詢價(jià)
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	2SD1601	HITACHI	22+	TO-220	25000	只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單	詢價(jià)
深圳市宏捷佳電子科技有限公司	2SD1602	HITACHI	24+	TO-TO-220	12300	獨(dú)立分銷商公司只做原裝誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證	詢價(jià)
深圳市鵬和科技有限公司	2SD1603	日立	24+	TO-220	5000	只做原裝公司現(xiàn)貨	詢價(jià)

更多2SD160供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-13 10:20:00

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