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2SC5242RTU

NPN Epitaxial Silicon Transistor

NPNEpitaxialSiliconTransistor Features ?HighCurrentCapability:IC=15A ?HighPowerDissipation:130watts ?HighFrequency:30MHz. ?HighVoltage:VCEO=230V ?WideS.O.Aforreliableoperation. ?ExcellentGainLinearityforlowTHD. ?Complementto2SA1962/FJA42

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

2SC5242RTU

NPN Epitaxial Silicon Transistor

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

2SC5242RTU

包裝：管件 封裝/外殼：TO-3P-3，SC-65-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè) 描述：TRANS NPN 250V 17A TO3P

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

2SC5242

NPNEpitaxialSiliconTransistor

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

2SC5242

SiliconNPNPowerTransistor

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

2SC5242

SiliconNPNPowerTransistors

SAVANTIC

Savantic, Inc.

2SC5242

iscSiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ·HighCollectorBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=230V(Min.) ·GoodLinearityofhFE ·ComplementtoType2SA1962 APPLICATIONS ·Poweramplifierapplications ·Recommendfor80Whighfidelityaudiofrequencyamplifieroutputstageapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SC5242

NPNEpitaxialSiliconTransistor

NPNEpitaxialSiliconTransistor Features ?HighCurrentCapability:IC=15A ?HighPowerDissipation:130watts ?HighFrequency:30MHz. ?HighVoltage:VCEO=230V ?WideS.O.Aforreliableoperation. ?ExcellentGainLinearityforlowTHD. ?Complementto2SA1962/FJA42

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

2SC5242

SiliconNPNPowerTransistors

DESCRIPTION ·WithTO-3P(I)package ·Complementtotype2SA1962 ·Highcollectorvoltage:VCEO=230V(Min) APPLICATIONS ·Poweramplifierapplications ·Recommendfor80Whighfidelityaudiofrequencyamplifieroutputstage

SAVANTIC

Savantic, Inc.

2SC5242

SiliconNPNTripleDiffusedTypePowerAmplifierApplications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

2SC5242

NPNTRIPLEDIFFUSED(FORPOWERAMPLIFIERAPLLICATIONS)

PowerAmplifierApplications ?HighCollectorbreakdownvoltage:VCEO=230V(min) ?Complementaryto2SA1962 ?Suitablefrousein80-Whighfidelityaudioamplifier’soutputstage

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

2SC5242

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

2SC5242OTU

NPNEpitaxialSiliconTransistor

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

2SC5242OTU

NPNEpitaxialSiliconTransistor

NPNEpitaxialSiliconTransistor Features ?HighCurrentCapability:IC=15A ?HighPowerDissipation:130watts ?HighFrequency:30MHz. ?HighVoltage:VCEO=230V ?WideS.O.Aforreliableoperation. ?ExcellentGainLinearityforlowTHD. ?Complementto2SA1962/FJA42

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    2SC5242RTU

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 包裝：

    管件

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    3V @ 800mA，8A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    5μA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    55 @ 1A，5V

  • 頻率 - 躍遷：

    30MHz

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-3P-3，SC-65-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-3P

  • 描述：

    TRANS NPN 250V 17A TO3P

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
Fairchild
23+
TO-3P
7750
全新原裝優(yōu)勢(shì)
 詢價(jià)
Fairchild
24+
TO-3P
178
詢價(jià)
FAIRCHILD
23+
NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
 詢價(jià)
FAIRCHILD
22+23+
TO-3P
9174
絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨
 詢價(jià)
FSC
2020+
TO-3P
9500
百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
 詢價(jià)
FAIRCHILD/仙童
22+
TO-3P
27914
原裝正品現(xiàn)貨
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FAIRCHILD/仙童
2021+
TO-3P
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21+
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原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢(shì)供應(yīng),支持實(shí)單!
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更多2SC5242RTU供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-12-28 14:04:00

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