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2SC5712(TE12L,F)

Package：TO-243AA；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 描述：TRANS NPN 50V 3A PW-MINI

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5712

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SC5712

High-SpeedSwitchingApplications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SC5712

TOSHIBATransistorSiliconNPNEpitaxialType

High-SpeedSwitchingApplications DC-DCConverterApplications DC-ACConverterApplications ?HighDCcurrentgain:hFE=400to1000(IC=0.3A) ?Lowcollector-emittersaturationvoltage:VCE(sat)=0.14V(max) ?High-speedswitching:tf=120ns(typ.)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    2SC5712(TE12L,F)

  • 制造商：

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    140mV @ 20mA，1A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100nA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    400 @ 300mA，2V

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-243AA

  • 供應商器件封裝：

    PW-MINI

  • 描述：

    TRANS NPN 50V 3A PW-MINI

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多2SC5712(TE12L,F)供應商 更新時間2025-4-10 14:30:00

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