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2SC522	文件：230.76 Kbytes Page：3 Pages	HIGH FREQUENCY AMPLIFIER APPLICATIONS. HIGH VOLTAGE SWITCHING APPLICATIONS. REGULATOR APPLICATIONS. FEATURES: ?HighBreakdownVoltage:VCEO100V(2SC522) :Vceo=60V(2SC524) ?UsefulattachmentforHeatsink. ?VariousUsesforMediumPower :Ic=1.5A(Max.),Pc=10W(Max.)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
2SC5223	文件：42.34 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN triple diffusion planar type(For high-speed switching) SiliconNPNtriplediffusionplanartype Forhigh-speedswitching ■Features ●HighcollectortobasevoltageVCBO ●HighcollectortoemitterVCEO	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下電器	Panasonic
2SC5225	文件：29.42 Kbytes Page：7 Pages	Silicon NPN Epitaxial Transistor Features ?Highvoltagelargecurrentoperation. VCEO=80V,IC=300mA ?HighfT. fT=1.4GHz ?Smalloutputcapacitance. Cob=3pF Application ?WidebandvideooutputamplifierforcolorCRTmonitor. ?Highfrequencyhighvoltageamplifier. ?Highspeedpowerswitchin	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SC5226	文件：123.56 Kbytes Page：4 Pages	VHF to UHF Wide-Band Low-Noise Amp Applications??? VHFtoUHFWide-BandLow-NoiseAmplifierApplications Features ·Lownoise:NF=1.0dBtyp(f=1GHz). ·Highgain:\|S21e\|2=12dBtyp(f=1GHz). ·Highcutofffrequency:fT=7GHztyp.	SANYOSanyo 三洋三洋電機(jī)株式會(huì)社	SANYO
2SC5226A	文件：70.32 Kbytes Page：6 Pages	VHF to UHF Wide-Band Low-Noise Amplifier Applications NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistor Features ?Low-noise:NF=1.0dBtyp(f=1GHz) ?Highgain:?S21e?2=12dBtyp(f=1GHz) ?Highcut-offfrequency:fT=7GHztyp	SANYOSanyo 三洋三洋電機(jī)株式會(huì)社	SANYO
2SC5226A	文件：463.19 Kbytes Page：8 Pages	VHF to UHF Wide-Band Low-Noise Amplifi er Applications NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistor Features ?Low-noise:NF=1.0dBtyp(f=1GHz) ?Highgain:?S21e?2=12dBtyp(f=1GHz) ?Highcut-offfrequency:fT=7GHztyp	SANYOSanyo 三洋三洋電機(jī)株式會(huì)社	SANYO
2SC5226A	文件：354.42 Kbytes Page：8 Pages	RF Transistor 10V, 70mA, fT=7GHz, NPN Single MCP RFTransistor 10V,70mA,fT=7GHz,NPNSingleMCP Features ?Low-noise:NF=1.0dBtyp(f=1GHz) ?Highgain:?S21e?2=12dBtyp(f=1GHz) ?Highcut-offfrequency:fT=7GHztyp	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
2SC5226A-4-TL-E	文件：463.19 Kbytes Page：8 Pages	VHF to UHF Wide-Band Low-Noise Amplifi er Applications NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistor Features ?Low-noise:NF=1.0dBtyp(f=1GHz) ?Highgain:?S21e?2=12dBtyp(f=1GHz) ?Highcut-offfrequency:fT=7GHztyp	SANYOSanyo 三洋三洋電機(jī)株式會(huì)社	SANYO
2SC5226A-4-TL-E	文件：354.42 Kbytes Page：8 Pages	RF Transistor 10V, 70mA, fT=7GHz, NPN Single MCP RFTransistor 10V,70mA,fT=7GHz,NPNSingleMCP Features ?Low-noise:NF=1.0dBtyp(f=1GHz) ?Highgain:?S21e?2=12dBtyp(f=1GHz) ?Highcut-offfrequency:fT=7GHztyp	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
2SC5226A-5-TL-E	文件：354.42 Kbytes Page：8 Pages	RF Transistor 10V, 70mA, fT=7GHz, NPN Single MCP RFTransistor 10V,70mA,fT=7GHz,NPNSingleMCP Features ?Low-noise:NF=1.0dBtyp(f=1GHz) ?Highgain:?S21e?2=12dBtyp(f=1GHz) ?Highcut-offfrequency:fT=7GHztyp	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
2SC5226A-5-TL-E	文件：463.19 Kbytes Page：8 Pages	VHF to UHF Wide-Band Low-Noise Amplifi er Applications NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistor Features ?Low-noise:NF=1.0dBtyp(f=1GHz) ?Highgain:?S21e?2=12dBtyp(f=1GHz) ?Highcut-offfrequency:fT=7GHztyp	SANYOSanyo 三洋三洋電機(jī)株式會(huì)社	SANYO
2SC5226A-D	文件：463.19 Kbytes Page：8 Pages	VHF to UHF Wide-Band Low-Noise Amplifi er Applications NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistor Features ?Low-noise:NF=1.0dBtyp(f=1GHz) ?Highgain:?S21e?2=12dBtyp(f=1GHz) ?Highcut-offfrequency:fT=7GHztyp	SANYOSanyo 三洋三洋電機(jī)株式會(huì)社	SANYO
2SC5227	文件：122.89 Kbytes Page：4 Pages	VHF to UHF Wide-Band Low-Noise Amp Applications??? VHFtoUHFWide-BandLow-NoiseAmplifierApplications Features ?Lownoise:NF=1.0dBtyp(f=1GHz). ?Highgain:\|S21e\|2=12dBtyp(f=1GHz). ?Highcutofffrequency:fT=7GHztyp.	SANYOSanyo 三洋三洋電機(jī)株式會(huì)社	SANYO
2SC5227	文件：266.84 Kbytes Page：5 Pages	High Gain Bandwidth Product DESCRIPTION ?HighGainBandwidthProduct fT=7GHzTYP. ?HighGain,LowNoiseFigure \|S21e\|2=12dBTYP.,NF=1.0dBTYP@f=1GHz APPLICATIONS ?DesignedforVHF~UHFwidebandlownoiseamplifierapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
2SC5227A	文件：69.13 Kbytes Page：6 Pages	VHF to UHF Wide-Band Low-Noise Amplifier Applications VHFtoUHFWide-BandLow-NoiseAmplifierApplications Features ?Low-noise:NF=1.0dBtyp(f=1GHz) ?Highgain:?S21e?2=12dBtyp(f=1GHz) ?Highcut-offfrequency:fT=7GHztyp	SANYOSanyo 三洋三洋電機(jī)株式會(huì)社	SANYO
2SC5227A	文件：346.33 Kbytes Page：8 Pages	RF Transistor 10V, 70mA, fT=7GHz, NPN Single CP RFTransistor 10V,70mA,fT=7GHz,NPNSingleCP Features ?Low-noise:NF=1.0dBtyp(f=1GHz) ?Highgain:\|S21e\|2=12dBtyp(f=1GHz) ?Highcut-offfrequency:fT=7GHztyp	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
2SC5227A	文件：346.33 Kbytes Page：8 Pages	RF Transistor 10V, 70mA,fT=7GHz, NPN Single CP RFTransistor 10V,70mA,fT=7GHz,NPNSingleCP Features ?Low-noise:NF=1.0dBtyp(f=1GHz) ?Highgain:\|S21e\|2=12dBtyp(f=1GHz) ?Highcut-offfrequency:fT=7GHztyp	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
2SC5227A-4-TB-E	文件：346.33 Kbytes Page：8 Pages	RF Transistor 10V, 70mA, fT=7GHz, NPN Single CP RFTransistor 10V,70mA,fT=7GHz,NPNSingleCP Features ?Low-noise:NF=1.0dBtyp(f=1GHz) ?Highgain:\|S21e\|2=12dBtyp(f=1GHz) ?Highcut-offfrequency:fT=7GHztyp	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
2SC5227A-4-TB-E	文件：346.33 Kbytes Page：8 Pages	RF Transistor 10V, 70mA,fT=7GHz, NPN Single CP RFTransistor 10V,70mA,fT=7GHz,NPNSingleCP Features ?Low-noise:NF=1.0dBtyp(f=1GHz) ?Highgain:\|S21e\|2=12dBtyp(f=1GHz) ?Highcut-offfrequency:fT=7GHztyp	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
2SC5227A-5-TB-E	文件：346.33 Kbytes Page：8 Pages	RF Transistor 10V, 70mA, fT=7GHz, NPN Single CP RFTransistor 10V,70mA,fT=7GHz,NPNSingleCP Features ?Low-noise:NF=1.0dBtyp(f=1GHz) ?Highgain:\|S21e\|2=12dBtyp(f=1GHz) ?Highcut-offfrequency:fT=7GHztyp	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI

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晶體管資料

型號(hào)：
2SC522
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-NPN
性質(zhì)：
射頻/高頻放大（HF）_開關(guān)管（S）_功率放大（L）
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
140V
最大電流允許值：
1.5A
最大工作頻率：
60MHZ
引腳數(shù)：
3
可代換的型號(hào)：
BD232,BD410,2SC3117,2SD669,3DK204C,
最大耗散功率：
10W
放大倍數(shù)：
圖片代號(hào)：
E-36
vtest：
140
htest：
60000000
atest：
1.5
wtest：
10

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
2SC522
功能描述：
TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-37VAR

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市弘為電子有限公司	2SC522	TOSHIBA	16+	CAN3	1200	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價(jià)
深圳市昊創(chuàng)電子有限公司	2SC522	TOSHIBA/東芝	專業(yè)鐵帽	CAN3	1200	原裝鐵帽專營(yíng),代理渠道量大可訂貨	詢價(jià)
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	2SC522	NEC	20+	CAN3	35830	原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票	詢價(jià)
深圳市維爾達(dá)電子有限公司	2SC522	NEC	2023+		80000	一級(jí)代理/分銷渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) 十年芯程一路只做原裝正品	詢價(jià)
瀚佳科技(深圳)有限公司	2SC522	NEC	21+		35210	一級(jí)代理/放心采購(gòu)	詢價(jià)
深圳市旺財(cái)半導(dǎo)體有限公司	2SC522		23+	TO	20000	正品原裝貨價(jià)格低qq:2987726803	詢價(jià)
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	2SC522	NEC	23+	CAN-3	5000	專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	2SC522	NEC	23+	CAN-3	5000	專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市益百分電子有限公司	2SC5226-4-PM-TL	SONYO	01+	SOT23	3000	全新原裝進(jìn)口自己庫存優(yōu)勢(shì)	詢價(jià)
深圳市毅創(chuàng)騰電子科技有限公司	2SC5227-4-TB	SANYO	23+	CP	3260	絕對(duì)全新原裝!優(yōu)勢(shì)供貨渠道!特價(jià)!請(qǐng)放心訂購(gòu)!	詢價(jià)

更多2SC522供應(yīng)商更新時(shí)間2024-10-23 8:00:00

晶體管資料

詳細(xì)參數(shù)

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