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2SC3357分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料

2SC3357
廠商型號

2SC3357
參數(shù)屬性

2SC3357 封裝/外殼為TO-243AA；包裝為托盤；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89
功能描述

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD
絲印標(biāo)識

RE
封裝外殼

SOT-89 / TO-243AA
文件大小

77.51 Kbytes
頁面數(shù)量

8 頁
生產(chǎn)廠商 Renesas Electronics America
企業(yè)簡稱

NEC【瑞薩】

中文名稱

日本瑞薩電子株式會社官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-4-8 20:21:00
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晶體管資料

  • 型號：

    2SC3357

  • 別名：

    2SC3357三極管、2SC3357晶體管、2SC3357晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性質(zhì)：

    超高頻/特高頻 （UHF）

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    20V

  • 最大電流允許值：

    0.1A

  • 最大工作頻率：

    6.5GHZ

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

    2SC3607,

  • 最大耗散功率：

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    H-100

  • vtest：

    20

  • htest：

    6500000000

  • atest：

    0.1

  • wtest：

    0

2SC3357規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The 2SC3357 is an NPN silicon epitaxial transistor designed for low noise amplifier at VHF, UHF and CATV band. It has large dynamic range and good current characteristic.

FEATURES

? Low Noise and High Gain

NF = 1.1 dB TYP., Ga= 8.0 dB TYP. @VCE= 10 V, IC= 7 mA, f = 1.0 GHz

NF = 1.8 dB TYP., Ga= 9.0 dB TYP. @VCE= 10 V, IC= 40 mA, f = 1.0 GHz

? Large PTin Small Package

PT: 2 W with 16 cm2 × 0.7 mm Ceramic Substrate.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    2SC3357-T1-A

  • 制造商：

    CEL

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    托盤

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    12V

  • 頻率 - 躍遷：

    6.5GHz

  • 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）：

    1.8dB @ 1GHz

  • 增益：

    10dB

  • 功率 - 最大值：

    1.2W

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    50 @ 20mA，10V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    100mA

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-243AA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SOT-89

  • 描述：

    RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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