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2SC3356-T1B分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

2SC3356-T1B
廠商型號

2SC3356-T1B

參數(shù)屬性

2SC3356-T1B 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為帶;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23-3

功能描述

NPN Silicon RF Transistor

封裝外殼

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

189.37 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-5 23:00:00

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2SC3356-T1B規(guī)格書詳情

NPN Silicon RF Transistor

NPN Epitaxial Silicon RF Transistor for Microwave Low-Noise Amplification 3-pin Minimold

* Low noise and high gain : NF = 1.1 dB TYP., Ga= 11 dB TYP. @ VCE= 10 V, IC= 7 mA, f = 1 GHz

* High power gain : MAG = 13 dB TYP. @ VCE= 10 V, IC= 20 mA, f = 1 GHz

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    2SC3356-T1B-R25-A

  • 制造商:

    CEL

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    12V

  • 頻率 - 躍遷:

    7GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):

    1.1dB @ 1GHz

  • 增益:

    11.5dB

  • 功率 - 最大值:

    200mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 20mA,10V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    100mA

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應商器件封裝:

    SOT-23-3

  • 描述:

    RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23-3

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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