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2SA1213-O

PNP Silicon Epitaxial Transistors

Features ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) ?LowSaturationvoltage:VCE(sat)=0.5V(max.)(IC=1.0A) ?Smallflatpackage ?PC=1.0to2.0W(mountedonceramicsubstrate) ?HighSpeedSwitchingTime:tstg=1.0μs(typ.) ?EpoxymeetsUL

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導體股份有限公司

2SA1213-O

Marking：NO；Package：SOT-89；PNP Transistors

Features ●LowSaturationVoltage:VCE(sat)=-0.5V(max)(IC=-1A) ●HighSpeedSwitchingTime:tstg=1.0us(typ.) ●SmallFlatPackage ●PC=1to2W(mountedonceramicsubstrate) ●Complementaryto2SC2873

YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD

佑風微電子廣東佑風微電子有限公司

2SA1213PT

PNP Epitaxial Transistor

VOLTAGE50VoltsCURRENT2Ampere FEATURE *Smallflatpackage.(SC-62/SOT-89) *LowsaturationvoltageVCE(sat)=-0.5V(max.)(IC=-1A) *Highspeedswitchingtime:tstg=1.0uSec(typ.) *PC=1.0to2.0W(mountedonceramicsubstrate). *Highsaturationcurrentcapability. APPLICATION *Power

CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD.

力勤力勤股份有限公司

2SA1213Y

Power Amplifier Applications

PowerAmplifierApplications PowerSwitchingApplications ?Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=?0.5V(max)(IC=?1A) ?Highspeedswitchingtime:tstg=1.0μs(typ.) ?Smallflatpackage ?PC=1.0to2.0W(mountedonaceramicsubstrate) ?Complementaryto2SC2873

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SA1213-Y

Marking：NY；Package：SOT-89；PNP Silicon Epitaxial Transistors

Features ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) ?LowSaturationvoltage:VCE(sat)=0.5V(max.)(IC=1.0A) ?Smallflatpackage ?PC=1.0to2.0W(mountedonceramicsubstrate) ?HighSpeedSwitchingTime:tstg=1.0μs(typ.) ?EpoxymeetsUL

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導體股份有限公司

2SA1213-Y

Marking：NY；Package：SOT-89；PNP Transistors

Features ●LowSaturationVoltage:VCE(sat)=-0.5V(max)(IC=-1A) ●HighSpeedSwitchingTime:tstg=1.0us(typ.) ●SmallFlatPackage ●PC=1to2W(mountedonceramicsubstrate) ●Complementaryto2SC2873

YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD

佑風微電子廣東佑風微電子有限公司

2SA1215

POWER TRANSISTORS(15A,160V,150W)

...designedforuseingeneral-purposeamplifierandswitchingapplication. FEATURES: *Recommendfor125WHighFiderityAudioFrequencyAmplifierOutputstage *Complementaryto2SC2921

MOSPECMospec Semiconductor

統(tǒng)懋統(tǒng)懋半導體股份有限公司

2SA1215

PNP PLANAR SILICON TRANSISTOR(AUDIO POWER AMPLIFIER DC TO DC CONVERTER)

AUDIOPOWERAMPLIFIER DCTODCCONVERTER ●HighCurrentCapability ●HighPowerDissipation ●Complementaryto2SC2921

WINGSWing Shing Computer Components

永盛電子永盛電子(香港)有限公司

2SA1215

Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor(Audio and General Purpose)

SiliconPNPEpitaxialPlanarTransistor(Complementtotype2SC2921) Application:AudioandGeneralPurpose

SankenSanken electric

三墾三墾電氣株式會社

2SA1215

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION ?WithMT-200package ?Complementtotype2SC2921 APPLICATIONS ?Audioandgeneralpurpose

SAVANTIC

Savantic, Inc.

晶體管資料

  • 型號：

    2SA1210

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產廠家：

  • 制作材料：

    Si-PNP

  • 性質：

    通用型 （Uni）_功率放大 （L）

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    200V

  • 最大電流允許值：

    0.14A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數：

    3

  • 可代換的型號：

    BF416,BF418,BF470,2SA1352,2SA1407,3CA5G,

  • 最大耗散功率：

    10W

  • 放大倍數：

  • 圖片代號：

    B-21

  • vtest：

    200

  • htest：

    999900

  • atest：

    0.14

  • wtest：

    10

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ROHM
SOT89
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原裝長期供貨!
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NSC
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原裝現(xiàn)貨/歡迎來電咨詢
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6000
十年配單,只做原裝
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更多2SA121供應商 更新時間2025-4-17 16:49:00

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