| 零件編號 | 下載 訂購 | 功能描述/絲印 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
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N-Channel, Enhancement-Mode, Vertical DMOS FET Description 2N6661isanenhancement-mode(normally-off)tranistorthatutilizesaverticalDMOSstructureandawellprovensilicon-gatemanufacturingprocess.Thiscominationproducesadevicewiththepower-handlingcapabilitiesofbipolartransistors,andthehighinputimpedanceandpositive | MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司 | Microchip | ||
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 2N6661 ?VDSS=90V,ID=0.9A,RDS(ON)=4.0? ?FastSwitching ?LowThresholdVoltage(LogicLevel) ?LowCISS ?IntegralSource-DrainBodyDiode ?HermeticMetalTO39Package ?HighReliabilityScreeningOptionsAvailable | TTELECTT Electronics. TT電子公司梯梯電子集成制造服務(wù)(蘇州)有限公司 | TTELEC | ||
TMOS SWITCHING TRANSISTOR
| NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司 | NJSEMI | ||
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DESCRIPTION Thisenhancement-mode(normally-off)verticalDMOSFETisideallysuitedtoawiderangeofswitchingandamplifyingapplicationswherehighbreakdownvoltage,highinputimpedance,lowinputcapacitance,andfastswitchingspeedsaredesired. HighReliabilityScreeningoptionsarea | SEME-LAB Seme LAB | SEME-LAB | ||
DUAL N??HANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION TheseDualenhancement-mode(normally-off)verticalDMOSFETsareideallysuitedtoawiderangeofswitchingandamplifyingapplicationswherehighbreakdownvoltage,highinputimpedance,lowinputcapacitance,andfastswitchingspeedsaredesired. HighReliabilityScreeningoptio | SEME-LAB Seme LAB | SEME-LAB | ||
POWER TRANSISTORS(65W) 8AND10AMPEREDARLINGTONPOWERTRANSISTORSPNPSILICON40-80VOLTS65WATTS | MOSPECMospec Semiconductor 統(tǒng)懋統(tǒng)懋半導(dǎo)體股份有限公司 | MOSPEC | ||
PLASTIC MEDIUM-POWER SILICON TRANSISTORS PLASTICMEDIUM-POWERSILICONTRANSISTORS 8AND10AMPEREDARLINGTONPOWERTRANSISTORSPNPSILICON40-80VOLTS65WATTS | bocaBoca Semiconductor Corporation 博卡博卡半導(dǎo)體公司 | boca | ||
NPN SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N5294,5296and5298typesaresiliconNPNtransistorsthataremanufacturedbytheepitaxialbaseprocessanddesignedforapplicationsthatrequirepoweramplifierandmediumswitchingcapablilites. | CentralCentral Semiconductor Corp 美國中央半導(dǎo)體 | Central | ||
Darlington Silicon Power Transistors PNP SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS 10 A, 60??0 V, 65 W DarlingtonSiliconPowerTransistors Designedforgeneral?purposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. ?HighDCCurrentGain? hFE=3500(Typ)@IC=4.0Adc ?Collector?EmitterSustainingVoltage?@200mAdc VCEO(sus)=60Vdc(Min)?2N6667 =80 | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI | ||
POWER TRANSISTORS(65W) 8AND10AMPEREDARLINGTONPOWERTRANSISTORSPNPSILICON40-80VOLTS65WATTS | MOSPECMospec Semiconductor 統(tǒng)懋統(tǒng)懋半導(dǎo)體股份有限公司 | MOSPEC |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Ge-PNP
- 性質(zhì)：
低頻或音頻放大 （LF）_開關(guān)管 （S）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
25V
- 最大電流允許值：
1A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號：
AC128,AC153,AC188,AC193,2N1190,2SB405,3AK61,
- 最大耗散功率：
0.2W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號：
D-9
- vtest：
25
- htest：
999900
- atest：
1
- wtest：
0.2
詳細(xì)參數(shù)
- 型號：
2N66
- 功能描述：
alloy-junction germanium transistors
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MOTOROLA |
24+ |
CAN3 |
1000 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價 | ||
MOT |
24+ |
CAN3 |
8858 |
公司原廠原裝現(xiàn)貨假一罰十!特價出售!強勢庫存! |
詢價 | ||
MOTOROLA |
專業(yè)鐵帽 |
CAN3 |
1000 |
原裝鐵帽專營,代理渠道量大可訂貨 |
詢價 | ||
MOT |
24+ |
CAN3 |
6540 |
原裝現(xiàn)貨/歡迎來電咨詢 |
詢價 | ||
CENTRAL |
23+ |
原廠原包 |
19960 |
只做進口原裝 終端工廠免費送樣 |
詢價 | ||
24+ |
TO-3 |
10000 |
全新 |
詢價 | |||
ON |
1738+ |
TO-3 |
8529 |
科恒偉業(yè)!只做原裝正品,假一賠十! |
詢價 | ||
MOTO/ON |
20+ |
TO3 |
35830 |
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票 |
詢價 | ||
CENTRAL |
1809+ |
TO-3 |
326 |
就找我吧!--邀您體驗愉快問購元件! |
詢價 | ||
Central |
22+ |
NA |
72 |
加我QQ或微信咨詢更多詳細(xì)信息, |
詢價 |
