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2N6667 | POWER TRANSISTORS(65W) 8AND10AMPEREDARLINGTONPOWERTRANSISTORSPNPSILICON40-80VOLTS65WATTS | MOSPECMospec Semiconductor 統(tǒng)懋統(tǒng)懋半導(dǎo)體股份有限公司 | MOSPEC | |
2N6667 | DARLINGTON POWER TRANSISTORS(PNP SILICON ) DarlingtonSiliconPowerTransistors Designedforgeneral?purposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. ?HighDCCurrentGain? hFE=3500(Typ)@IC=4.0Adc ?Collector?EmitterSustainingVoltage?@200mAdc VCEO(sus)=60Vdc(Min)?2N6667 | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI | |
2N6667 | PLASTIC MEDIUM-POWER SILICON TRANSISTORS PLASTICMEDIUM-POWERSILICONTRANSISTORS 8AND10AMPEREDARLINGTONPOWERTRANSISTORSPNPSILICON40-80VOLTS65WATTS | bocaBoca Semiconductor Corporation 博卡博卡半導(dǎo)體公司 | boca | |
2N6667 | NPN SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N5294,5296and5298typesaresiliconNPNtransistorsthataremanufacturedbytheepitaxialbaseprocessanddesignedforapplicationsthatrequirepoweramplifierandmediumswitchingcapablilites. | CentralCentral Semiconductor Corp 美國(guó)中央半導(dǎo)體 | Central | |
2N6667 | PNP DARLINGTON TRANSISTOR Description:PNPDarlingtonTransistor | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司 | NJSEMI | |
2N6667 | isc Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION ?HighDCCurrentGain-:hFE=1000(Min)@IC=-5A ?Collector-EmitterSustainingVoltage-:VCEO(SUS)=-60V(Min) ?LowCollector-EmitterSaturationVoltage-:VCE(sat)=-2.0V(Max)@IC=-5A ?ComplementtoType2N6387 APPLICATIONS ?Designedforgeneralpurposeamplifierandl | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | |
2N6667 | Darlington Silicon Power Transistors PNP SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS 10 A, 60??0 V, 65 W DarlingtonSiliconPowerTransistors Designedforgeneral?purposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. ?HighDCCurrentGain? hFE=3500(Typ)@IC=4.0Adc ?Collector?EmitterSustainingVoltage?@200mAdc VCEO(sus)=60Vdc(Min)?2N6667 =80 | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI | |
2N6667 | Darlington Silicon Power Transistors | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI | |
2N6667 | Darlington Silicon Power Transistors | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI | |
2N6667 | Package：TO-220-3；包裝：散裝 類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè) 描述：TRANS PNP DARL 60V 10A TO220 | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI |
晶體管資料
- 型號(hào)：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-P+Darl
- 性質(zhì)：
低頻或音頻放大 （LF）_開(kāi)關(guān)管 （S）_功率放大 （L
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
60V
- 最大電流允許值：
8A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號(hào)：
BD646,BD898,BDW74A,BDX54A,
- 最大耗散功率：
65W
- 放大倍數(shù)：
β>1000
- 圖片代號(hào)：
B-84
- vtest：
60
- htest：
999900
- atest：
8
- wtest：
65
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
2N6667
- 制造商：
onsemi
- 類(lèi)別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)
- 包裝：
散裝
- 晶體管類(lèi)型：
PNP - 達(dá)林頓
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：
3V @ 100mA，10A
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
1mA
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 5A，3V
- 工作溫度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類(lèi)型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-220
- 描述：
TRANS PNP DARL 60V 10A TO220
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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