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2N6667

POWER TRANSISTORS(65W)

8AND10AMPEREDARLINGTONPOWERTRANSISTORSPNPSILICON40-80VOLTS65WATTS

MOSPECMospec Semiconductor

統(tǒng)懋統(tǒng)懋半導(dǎo)體股份有限公司

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DARLINGTON POWER TRANSISTORS(PNP SILICON )

DarlingtonSiliconPowerTransistors Designedforgeneral?purposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. ?HighDCCurrentGain? hFE=3500(Typ)@IC=4.0Adc ?Collector?EmitterSustainingVoltage?@200mAdc VCEO(sus)=60Vdc(Min)?2N6667

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

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PLASTIC MEDIUM-POWER SILICON TRANSISTORS

PLASTICMEDIUM-POWERSILICONTRANSISTORS 8AND10AMPEREDARLINGTONPOWERTRANSISTORSPNPSILICON40-80VOLTS65WATTS

bocaBoca Semiconductor Corporation

博卡博卡半導(dǎo)體公司

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NPN SILICON TRANSISTOR

DESCRIPTION TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N5294,5296and5298typesaresiliconNPNtransistorsthataremanufacturedbytheepitaxialbaseprocessanddesignedforapplicationsthatrequirepoweramplifierandmediumswitchingcapablilites.

CentralCentral Semiconductor Corp

美國(guó)中央半導(dǎo)體

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PNP DARLINGTON TRANSISTOR

Description:PNPDarlingtonTransistor

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

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isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

DESCRIPTION ?HighDCCurrentGain-:hFE=1000(Min)@IC=-5A ?Collector-EmitterSustainingVoltage-:VCEO(SUS)=-60V(Min) ?LowCollector-EmitterSaturationVoltage-:VCE(sat)=-2.0V(Max)@IC=-5A ?ComplementtoType2N6387 APPLICATIONS ?Designedforgeneralpurposeamplifierandl

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

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Darlington Silicon Power Transistors PNP SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS 10 A, 60??0 V, 65 W

DarlingtonSiliconPowerTransistors Designedforgeneral?purposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. ?HighDCCurrentGain? hFE=3500(Typ)@IC=4.0Adc ?Collector?EmitterSustainingVoltage?@200mAdc VCEO(sus)=60Vdc(Min)?2N6667 =80

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

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Darlington Silicon Power Transistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

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Darlington Silicon Power Transistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

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Package:TO-220-3;包裝:散裝 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè) 描述:TRANS PNP DARL 60V 10A TO220

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

晶體管資料

  • 型號(hào):

    2N6667

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-P+Darl

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_開(kāi)關(guān)管 (S)_功率放大 (L

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    60V

  • 最大電流允許值:

    8A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號(hào):

    BD646,BD898,BDW74A,BDX54A,

  • 最大耗散功率:

    65W

  • 放大倍數(shù):

    β>1000

  • 圖片代號(hào):

    B-84

  • vtest:

    60

  • htest:

    999900

  • atest:

    8

  • wtest:

    65

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    2N6667

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    PNP - 達(dá)林頓

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    3V @ 100mA,10A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    1mA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    1000 @ 5A,3V

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220

  • 描述:

    TRANS PNP DARL 60V 10A TO220

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多2N6667供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-1 16:38:00