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2N6667 | POWER TRANSISTORS(65W) 8AND10AMPEREDARLINGTONPOWERTRANSISTORSPNPSILICON40-80VOLTS65WATTS | MOSPECMospec Semiconductor 統(tǒng)懋統(tǒng)懋半導(dǎo)體股份有限公司 | MOSPEC | |
2N6667 | DARLINGTON POWER TRANSISTORS(PNP SILICON ) DarlingtonSiliconPowerTransistors Designedforgeneral?purposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. ?HighDCCurrentGain? hFE=3500(Typ)@IC=4.0Adc ?Collector?EmitterSustainingVoltage?@200mAdc VCEO(sus)=60Vdc(Min)?2N6667 | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI | |
2N6667 | PLASTIC MEDIUM-POWER SILICON TRANSISTORS PLASTICMEDIUM-POWERSILICONTRANSISTORS 8AND10AMPEREDARLINGTONPOWERTRANSISTORSPNPSILICON40-80VOLTS65WATTS | bocaBoca Semiconductor Corporation 博卡博卡半導(dǎo)體公司 | boca | |
2N6667 | NPN SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N5294,5296and5298typesaresiliconNPNtransistorsthataremanufacturedbytheepitaxialbaseprocessanddesignedforapplicationsthatrequirepoweramplifierandmediumswitchingcapablilites. | CentralCentral Semiconductor Corp 美國(guó)中央半導(dǎo)體 | Central | |
2N6667 | PNP DARLINGTON TRANSISTOR Description:PNPDarlingtonTransistor | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司 | NJSEMI | |
2N6667 | isc Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION ?HighDCCurrentGain-:hFE=1000(Min)@IC=-5A ?Collector-EmitterSustainingVoltage-:VCEO(SUS)=-60V(Min) ?LowCollector-EmitterSaturationVoltage-:VCE(sat)=-2.0V(Max)@IC=-5A ?ComplementtoType2N6387 APPLICATIONS ?Designedforgeneralpurposeamplifierandl | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | |
2N6667 | Darlington Silicon Power Transistors PNP SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS 10 A, 60??0 V, 65 W DarlingtonSiliconPowerTransistors Designedforgeneral?purposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. ?HighDCCurrentGain? hFE=3500(Typ)@IC=4.0Adc ?Collector?EmitterSustainingVoltage?@200mAdc VCEO(sus)=60Vdc(Min)?2N6667 =80 | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI | |
2N6667 | Darlington Silicon Power Transistors | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI | |
2N6667 | Darlington Silicon Power Transistors | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI | |
2N6667 | Package:TO-220-3;包裝:散裝 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè) 描述:TRANS PNP DARL 60V 10A TO220 | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI |
晶體管資料
- 型號(hào):
- 別名:
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家:
- 制作材料:
Si-P+Darl
- 性質(zhì):
低頻或音頻放大 (LF)_開(kāi)關(guān)管 (S)_功率放大 (L
- 封裝形式:
直插封裝
- 極限工作電壓:
60V
- 最大電流允許值:
8A
- 最大工作頻率:
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù):
3
- 可代換的型號(hào):
BD646,BD898,BDW74A,BDX54A,
- 最大耗散功率:
65W
- 放大倍數(shù):
β>1000
- 圖片代號(hào):
B-84
- vtest:
60
- htest:
999900
- atest:
8
- wtest:
65
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
2N6667
- 制造商:
onsemi
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)
- 包裝:
散裝
- 晶體管類型:
PNP - 達(dá)林頓
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):
3V @ 100mA,10A
- 電流 - 集電極截止(最大值):
1mA
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):
1000 @ 5A,3V
- 工作溫度:
-65°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-220-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-220
- 描述:
TRANS PNP DARL 60V 10A TO220
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
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