2N6052G 分立半導體產品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 ONSEMI/安森美半導體

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1+	面議

廠家型號：
2N6052G
產品分類：
芯片
生產廠商：
onsemi
庫存數量：
9350
產品封裝：
TO-204AA TO-3
生產批號：
24+
庫存類型：
常用庫存
更新時間：
2025-1-17 14:08:00

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詳細信息
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原廠料號：2N6052G品牌：onsemi

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2N6052G是分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個。制造商onsemi生產封裝TO-204AA TO-3/TO-204AA，TO-3的2N6052G晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個分立式雙極結型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構建模擬信號放大功能。作為大批量生產的第一批半導體器件之一，對于涉及高頻開關和在大電流或高電壓下工作的應用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢，但對于需要以極小的噪聲和失真構建模擬信號的應用而言，它們仍然是首選技術。

芯片型號：
2N6052G
規(guī)格書：
下載下載2
企業(yè)簡稱：
ONSEMI【安森美半導體】詳情
廠商全稱：
ON Semiconductor
中文名稱：
安森美半導體公司
內容頁數：
5 頁
文件大小：
137.61 kb
資料說明：
Darlington Complementary Silicon Power Transistors

產品屬性

類型
描述
產品編號：
2N6052G
制造商：
onsemi
類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
晶體管類型：
PNP - 達林頓
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
3V @ 120mA，12A
電流 - 集電極截止（最大值）：
1mA
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
750 @ 6A，3V
工作溫度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-204AA，TO-3
供應商器件封裝：
TO-204（TO-3）
描述：
TRANS PNP DARL 100V 12A TO204

供應商

企業(yè)：
深圳市宏捷佳電子科技有限公司
商鋪：
進入商鋪
聯系人：
許小姐
手機：
13530520535
詢價：
電話：
0755-83201583/83214703
傳真：
0755-22669259
地址：
福田區(qū)華強北路上步工業(yè)區(qū)102棟620室

2N6052G 分立半導體產品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 ONSEMI/安森美半導體

2N6052G

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