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2N5929

SiliconNPNPowerTransistors

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

2N5929

iscSiliconNPNPowerTransistors

DESCRIPTION ·DCCurrentGain- :hFE=20-100@IC=10A ·LowCollectorSaturationVoltage- :VCE(sat)=1.0V(Max)@IC=15A APPLICATIONS ·Designedforgeneralpurposepoweramplifierandswitchingapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2N5929

BipolarNPNDeviceinaHermeticallysealedTO3

SEME-LAB

Seme LAB

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更多2N5929G供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-26 9:29:00

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