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2N5830分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

2N5830
廠商型號

2N5830

參數(shù)屬性

2N5830 封裝/外殼為TO-226-3,TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體(!--TO-226AA);包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN 100V 0.2A TO92-3

功能描述

NPN SILICON TRANSISTORS

封裝外殼

TO-226-3,TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體(!--TO-226AA)

文件大小

50.03 Kbytes

頁面數(shù)量

1

生產(chǎn)廠商 Micro Electronics
企業(yè)簡稱

MICRO-ELECTRONICS

中文名稱

Micro Electronics官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-1-15 8:02:00

晶體管資料

  • 型號:

    2N5830

  • 別名:

    2N5830三極管、2N5830晶體管、2N5830晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    開關(guān)管 (S)_視頻輸出 (Vid)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    12V

  • 最大電流允許值:

    0.6A

  • 最大工作頻率:

    >100MHZ

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

    BF391,BF392,BF393,BFP22,MPS-A42,MPS-A43,2N5550,3DG84E,

  • 最大耗散功率:

    0.625W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    A-31

  • vtest:

    12

  • htest:

    100000100

  • atest:

    0.6

  • wtest:

    0.625

2N5830規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

2N5830 and 2N5831 are NPN silicon planar transistors designed for small signal high voltage general purpose amplifiers.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    2N5830

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    管件

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    250mV @ 5mA,50mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    50nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    80 @ 10mA,5V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-226-3,TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體(!--TO-226AA)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-92-3

  • 描述:

    TRANS NPN 100V 0.2A TO92-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
FAIRCHILD/仙童
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TO92
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