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2N5823中文資料新澤西半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

2N5823
廠商型號

2N5823

功能描述

SILICON TRANSISTORS

文件大小

142.16 Kbytes

頁面數(shù)量

1

生產(chǎn)廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡稱

NJSEMI新澤西半導體

中文名稱

新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-28 20:00:00

晶體管資料

  • 型號:

    2N5823

  • 別名:

    2N5823三極管、2N5823晶體管、2N5823晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_TR

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    70V

  • 最大電流允許值:

    0.75A

  • 最大工作頻率:

    >120MHZ

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

    BC490,BC528,BC640,2N2906A,2N2907A,2SB647,2SB910,2SB1041,3CK10C,

  • 最大耗散功率:

    0.5W

  • 放大倍數(shù):

    β>100

  • 圖片代號:

    A-23

  • vtest:

    70

  • htest:

    120000100

  • atest:

    0.75

  • wtest:

    0.5

2N5823規(guī)格書詳情

Silicon Transistor

These silicon, planar, passivated, epitaxial transistors are intended to satisfy a wide range general purpose applications at audio low and intermediate frequencies.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    2N5823

  • 功能描述:

    兩極晶體管 - BJT Small Signal Transistor

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT:

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安裝風格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    PowerFLAT 2 x 2

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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