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2N5551BU 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè) ONSEMI/安森美半導(dǎo)體
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原廠料號(hào):2N5551BU品牌:onsemi
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
2N5551BU是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)。制造商onsemi生產(chǎn)封裝TO-226-3,TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體(!-/TO-226-3,TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體(!--TO-226AA)的2N5551BU晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號(hào)放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一,對(duì)于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢(shì),但對(duì)于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號(hào)的應(yīng)用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。
產(chǎn)品屬性
更多- 類型
描述
- 產(chǎn)品編號(hào):
2N5551BU
- 制造商:
onsemi
- 類別:
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型:
NPN
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):
200mV @ 5mA,50mA
- 電流 - 集電極截止(最大值):
50nA(ICBO)
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):
80 @ 10mA,5V
- 頻率 - 躍遷:
100MHz
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-226-3,TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體(!--TO-226AA)
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-92-3
- 描述:
TRANS NPN 160V 0.6A TO92-3
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