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2N3879

HIGH SPEED EPITAXIAL COLLECTOR SILICON NPN PLANAR TRANSISTORS

High-SpeedEpitaxial-CollectorSiliconN-P-NPlanarTransistors ForHigh-SpeedSwitchingandLinear-AmplifierApplications

GESS

GE Solid State

2N3879

NPN POWER SILICON TRANSISTOR

NPNPOWERSILICONTRANSISTOR QualifiedperMIL-PRF-19500/526

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

2N3879

Silicon NPN Power Transistors

SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-66package ·Wideareaofsafeoperation ·Highsustainingvoltage APPLICATIONS ·Forhigh-speedswitchingandlinear-amplifierapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2N3879

Silicon NPN Power Transistors

SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION WithTO-66package ·Wideareaofsafeoperation ·Highsustainingvoltage APPLICATIONS ·Forhigh-speedswitchingandlinear-amplifierapplications

SAVANTIC

Savantic, Inc.

2N3879

SILICON N-P-N PLANAR TRANSISTOR

SiliconN-P-NPlanarTransistor

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

2N3879

NPN POWER SILICON TRANSISTOR

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

2N3879

Silicon NPN Power Transistors

SAVANTIC

Savantic, Inc.

2N3879

GERMANIUM PNP TRANSISTORS

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商未分類制造商

2N3879

NPN POWER SILICON TRANSISTOR

SEME-LAB

Seme LAB

2N3879

包裝:散裝 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個 描述:NPN TRANSISTOR

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

2N3879SMD

Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed

SEME-LAB

Seme LAB

2N3879SMD05

Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed

SEME-LAB

Seme LAB

2N3879A

包裝:散裝 封裝/外殼:TO-213AA,TO-66-2 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個 描述:POWER BJT

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

晶體管資料

  • 型號:

    2N3879

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_開關(guān)管 (S)_功率放大 (L

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    120V

  • 最大電流允許值:

    7A

  • 最大工作頻率:

    >40MHZ

  • 引腳數(shù):

    2

  • 可代換的型號:

    BD193,BDX22,MJE15030,2N5202,2N6264,3DA27B,

  • 最大耗散功率:

    35W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    E-44

  • vtest:

    120

  • htest:

    40000100

  • atest:

    7

  • wtest:

    35

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    2N3879

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    散裝

  • 描述:

    NPN TRANSISTOR

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多2N3879供應(yīng)商 更新時間2025-1-14 14:00:00