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2N3963

Small Signal Transistors

SmallSignalTransistors TO-18Case(Continued)

CentralCentral Semiconductor Corp

美國中央半導(dǎo)體

2N3963

SILICON PNP TRANSISTOR

BipolarPNPDeviceinaHermeticallysealedTO18MetalPackage BipolarPNPDevice. VCEO=80V IC=0.2A

TTELECTT Electronics.

TT電子公司梯梯電子集成制造服務(wù)(蘇州)有限公司

2N3963

Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO18

SEME-LAB

Seme LAB

2N3963

SILICON NPN TRANSISTOR

CentralCentral Semiconductor Corp

美國中央半導(dǎo)體

2N3963_15

SILICON NPN TRANSISTOR

CentralCentral Semiconductor Corp

美國中央半導(dǎo)體

2N3963CSM

Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed LCC1

SEME-LAB

Seme LAB

晶體管資料

  • 型號:

    2N3963

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_低噪放大 (ra)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    80V

  • 最大電流允許值:

    0.2A

  • 最大工作頻率:

    >40MHZ

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

    BFW21,BFX37,2SA1049,2SA1136,2SA1137,2N3798(A),2N3799(A),3CG20D,

  • 最大耗散功率:

    0.36W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    D-8

  • vtest:

    80

  • htest:

    40000100

  • atest:

    0.2

  • wtest:

    0.36

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    2N3963

  • 功能描述:

    兩極晶體管 - BJT SMALL SIGNAL TRANS PNP 80V 1A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT:

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安裝風(fēng)格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多2N3963供應(yīng)商 更新時間2025-2-20 10:28:00