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1N5711L	文件：84.79 Kbytes Page：3 Pages	Surfacemountschottkybarrierdiode	BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd. 銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司	BILIN
1N5711QCSM	文件：37.15 Kbytes Page：1 Pages	DUALCOMMONCATHODE	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
1N5711UB	文件：55.97 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERDIODESLEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT SCHOTTKYBARRIERDIODESLEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT QualifiedperMIL-PRF-19500/444	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
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1N5711UBD	文件：55.97 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERDIODESLEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT SCHOTTKYBARRIERDIODESLEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT QualifiedperMIL-PRF-19500/444	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N5711W	文件：300.987 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERDIODE	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半導(dǎo)體股份有限公司 PDF上傳者：深圳市福田區(qū)吉富昌電子商行	SUNMATE
1N5711W	文件：71.8 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERDIODE Features ?LowForwardVoltageDrop ?GuardRingConstructionforTransientProtection ?FastSwitchingTime ?LowReverseCapacitance ?SurfaceMountPackageIdeallySuitedfor AutomaticInsertion ?LeadFree/RoHSCompliant(Note3)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
1N5711W	文件：247.64 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERDIODE Features ?LowForwardVoltageDrop ?GuardRingConstructionforTransientProtection ?FastSwitchingTime ?LowReverseCapacitance ?SurfaceMountPackageIdeallySuitedfor AutomaticInsertion ?LeadFree/RoHSCompliant(Note3)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
1N5711W	文件：166.53 Kbytes Page：2 Pages	Surfacemountschottkybarrierdiode FEATURES ●LowForwardVoltageDrop. ●GuardRingConstructionforTransientProtection. ●FastSwitchingTime. ●LowReverseCapacitance. ●SurfaceMountPackageIdeallySuitedforAutomaticInsertion. APPLICATIONS ●Surfacemountfastswitchingschottkydiode.	BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd. 銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司	BILIN
1N5711W	文件：46.48 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountSchottkyBarrierDiode VoltageRange70Volts250mWattsPowerDissipation Features ◇Lowforwardvoltagedrop ◇GuardRingConstructionforTransient Protection ◇Fastswitchingtime ◇LowReverseCapacitance ◇Surfacemountpackageideallysuitedfor automaticinsertion	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺(tái)灣半導(dǎo)體臺(tái)灣半導(dǎo)體股份有限公司	TSC
1N5711W	文件：93.82 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERDIODE LowForwardVoltageDrop FastSwitchingSpeed PNJunctionGuardRingforTransientand ESDProtection ForGeneralPurposeSwitchingApplications PlasticMaterial–ULRecognitionFlammability Classification94V-0	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星電子股份有限公司	WTE
1N5711W	文件：95.39 Kbytes Page：2 Pages	LowForwardVoltageDrop Features ●LowForwardVoltageDrop ●GuardRingConstructionforTransient Protection ●FastSwitchingTime ●LowReverseCapacitance ●SurfaceMountPackageIdeallySuitedfor AutomaticInsertion	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳實(shí)業(yè)深圳市永而佳實(shí)業(yè)有限公司	WINNERJOIN
1N5711W	文件：94.19 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountSchottkyBarrierDiode VoltageRange70Volts250mWattsPowerDissipation Features ◇Lowforwardvoltagedrop ◇GuardRingConstructionforTransient Protection ◇Fastswitchingtime ◇LowReverseCapacitance ◇Surfacemountpackageideallysuitedfor automaticinsertion	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司	LUGUANG
1N5711W	文件：218.72 Kbytes Page：3 Pages	Surfacemountschottkybarrierdiode FEATURES ●LowForwardVoltageDrop. ●GuardRingConstructionforTransient Protection. ●FastSwitchingTime. ●LowReverseCapacitance. ●SurfaceMountPackageIdeallySuitedfor AutomaticInsertion. APPLICATIONS ●Surfacemountfastswitchingschottkydiode.	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
1N5711W	文件：341.97 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERDIODE Features ●LowForwardVoltageDrop ●GuardRingConstructionforTransient Protection ●FastSwitchingTime ●LowReverseCapacitance	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半導(dǎo)體股份有限公司	SUNMATE
1N5711W	文件：289.848 Kbytes Page：2 Pages	70VDetectionswitchtube	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半導(dǎo)體股份有限公司 PDF上傳者：深圳市福田區(qū)吉富昌電子商行	SUNMATE
1N5711W_	文件：247.64 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERDIODE Features ?LowForwardVoltageDrop ?GuardRingConstructionforTransientProtection ?FastSwitchingTime ?LowReverseCapacitance ?SurfaceMountPackageIdeallySuitedfor AutomaticInsertion ?LeadFree/RoHSCompliant(Note3)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
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更多1N5711IC供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-4 10:57:00

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