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BC848A

Marking：1J；Package：SOT-23；Small Signal Transistors (NPN)

FEATURES ?NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistors forswitchingandAFamplifierapplications. ?Especiallysuitedforautomaticinsertionin thick-andthin-filmcircuits. ?Thesetransistorsaresubdividedintothree groupsA,BandCaccordingtotheircurrentgain.The typ

GE

GE Industrial Company

BC848A

Marking：1J；Package：SOT-23；Epoxy meets UL-94 V-0 flammability rating

NPNSiliconEpitaxialTransistor forswitchingandamplifierapplications

LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd

雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司

BC848A

Marking：1J；Package：SOT-23；Ideally suited for automatic insertion

FEATURE Ideallysuitedforautomaticinsertion ForSwitchingandAFAmplifierApplications

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd

唯圣電子唯圣電子有限公司

BC848A

Marking：1J；Package：SOT-23；TRANSISTOR (NPN)

FEATURES *Ideallysuitedforautomaticinsertion *ForSwitchingandAFAmplifierApplications

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺半導(dǎo)體廣東友臺半導(dǎo)體有限公司

BC848A

Marking：1J；Package：SOT-23；TRANSISTOR (NPN)

FEATURES *Ideallysuitedforautomaticinsertion *ForSwitchingandAFAmplifierApplications

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺半導(dǎo)體廣東友臺半導(dǎo)體有限公司

BC848S-C

Marking：1J；Package：SOT-23；General Purpose Transistors

GeneralPurposeTransistors NPNSilicon ?MoistureSensitivityLevel:1 ?ESDRating–HumanBodyModel:>4000V –MachineModel:>400V

FS

First Silicon Co., Ltd

BCV61A

Marking：1J；Package：SOT143B；NPN general-purpose double transistors

Features *Lowcurrent(max.100mA) *Lowvoltage(max.30V) *Matchedpairs

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

CDBFN1200-HF

Marking：1J；Package：SOD-323；SMD Schottky Barrier Rectifiers

Features -Lowprofilesurfacemountedapplication inordertooptimizeboardspace. -Lowpowerloss,highefficiency. -Highcurrentcapability,lowforwardvoltagedrop. -Highsurgecapability. -Guardringforovervoltageprotection. -VerytinyplasticSMDpackage. -Ultrahigh-speed

COMCHIPComchip Technology

典琦典琦科技股份有限公司

GS1006FL

Marking：1J；Package：SOD-123FL；STANDARD RECTIFIER

Features ·Forsurfacemountedapplications ·Glasspassivatedjunction ·Lowprofilepackage ·Idealforautomatedplacement ·Hightemperaturesolderingguaranteed:260℃/10 seconds,atterminals

DAESAN

Daesan Electronics Corp.

MM3Z3V9

Marking：1J；Silicon Planar Zener Diodes

FEATURES ?Totalpowerdissipation:Max.200mW. ?Widezenerreversevoltagerange2.0Vto75V. ?Smallplasticpackagesuitableforsurfacemounteddesign. ?Toleranceapproximately±5

YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD

佑風(fēng)微電子廣東佑風(fēng)微電子有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    1J

  • 功能描述：

    信號調(diào)節(jié) 100-160MHz 500 Watt IL .3dB Iso20 dB

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    EPCOS

  • 產(chǎn)品：

    Duplexers

  • 頻率：

    782 MHz, 751 MHz

  • 阻抗：

    50 Ohms

  • 端接類型：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    2.5 mm x 2 mm

  • 工作溫度范圍：

    - 30 C to + 85 C

  • 封裝：

    Reel

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更多1J供應(yīng)商 更新時間2025-4-14 11:17:00

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