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Marking：133N12N6；Package：PG-TO263-3；MOSFET OptiMOS? 6 Power?Transistor, 120 V Features ?N?channel,normallevel ?Verylowon?resistanceRDS(on) ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowreverserecoverycharge(Qrr) ?Highavalancheenergyrating ?175°Coperatingtemperature ?Optimizedforhighfrequencyswitching ?Pb?freeleadplating;RoHSco | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon |
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