| 零件編號(hào) | 下載 訂購(gòu) | 功能描述/絲印 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
|---|---|---|---|---|
Marking：12M2H008；Package：PG-TO263-7-HV-ND5.8；CoolSiC? 1200 V SiC MOSFET G2 Features ?VDSS=1200VatTvj=25°C ?IDDC=144AatTC=100°C ?RDS(on)=7.7mΩatVGS=18V,Tvj=25°C ?Verylowswitchinglosses ?OverloadoperationuptoTvj=200°C ?Shortcircuitwithstandtime2μs ?Benchmarkgatethresholdvoltage,VGS(th)=4.2V ?Robustagainstparas | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon |
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|
更多12M2H008供應(yīng)商
更新時(shí)間
