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ISC037N13NM6

Marking：03713N6；Package：PG-TSON-8；MOSFET OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 135 V

Features ?N-channel,normallevel ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowreverserecoverycharge(Qrr) ?100%avalanchetested ?175°Coperatingtemperature ?Optimizedformotordrivesandbatterypoweredapplications ?Pb-freelea

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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更多03713N6供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-15 9:50:00

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