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Marking：032N12L6；Package：PG-TDSON-8FL；MOSFET OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 120 V Features ?N-channel,logiclevel ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowreverserecoverycharge(Qrr) ?Highavalancheenergyrating ?175°Coperatingtemperature ?Optimizedforhighfrequencyswitchingandsynchronousrectification ? | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon |
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