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Marking：019N12N6；Package：PG-TO263-7；MOSFET OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 120 V Features ?N-channel,normallevel ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowreverserecoverycharge(Qrr) ?Highavalancheenergyrating ?175°Coperatingtemperature ?Optimizedforhighfrequencyswitching ?Pb-freeleadplating;RoHSco | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon |
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
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