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PDTD123EQA

Marking：010110；Package：DFN1010D-3；50 V, 500 mA NPN resistor-equipped transistors

Generaldescription NPNResistor-EquippedTransistor(RET)familyinaleadlessultrasmallDFN1010D-3(SOT1215)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithvisibleandsolderablesidepads. Featuresandbenefits ■500mAoutputcurrentcapability ■Reducedpickandplacecosts ■Built

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PDTD123EQA

Marking：010110；Package：SOT1215；50 V, 500 mA NPN resistor-equipped transistors

Featuresandbenefits ?500mAoutputcurrentcapability ?Built-inbiasresistors ??10resistorratiotolerance ?Simplifiescircuitdesign ?Reducescomponentcount ?Reducedpickandplacecosts ?Lowpackageheightof0.37mm ?SuitableforAutomaticOptical Inspection(AOI)ofsold

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

BC856BMB

Marking：01011010；Package：DFN1006B-3；60 V, 100 mA PNP general-purpose transistor

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PMZB600UNE

Marking：01011000；Package：DFN1006B-3；20 V, N-channel Trench MOSFET

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PMZB950UPE

Marking：01011001；Package：DFN1006B-3；20 V, P-channel Trench MOSFET

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    010110

  • 制造商：

    Raytheon

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原廠原裝
658500
全新原裝現(xiàn)貨
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FUJIT
24+
1500
詢價
更多010110供應(yīng)商 更新時間2025-3-17 15:01:00

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